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公开(公告)号：CN111316401A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201880069448.5
申请日：2018-10-30
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , B32B7/023 , B32B7/06 , B32B27/00 , H01L21/02 , H01L21/683
Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。
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公开(公告)号：CN119404297A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380048240.6
申请日：2023-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供一种剥离剂组合物，其用于形成在如下层叠体中的如下剥离剂层，所述层叠体在半导体基板或电子器件层的加工时，能将支承基板与该半导体基板或该电子器件层牢固地粘接，并且在基板加工后，能通过光照射将支承基板与该半导体基板或该电子器件层容易地分离，所述剥离剂层是用于该层叠体的、能通过光照射而剥离的剥离剂层，所述剥离剂组合物含有水溶剂。一种光照射剥离用的剥离剂组合物，其用于形成如下层叠体的下述剥离剂层，所述层叠体具有：半导体基板或电子器件层、透光性的支承基板以及设于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板之间的剥离剂层，所述电子器件层包括多个半导体芯片基板和配置于所述半导体芯片基板间的密封树脂，并且所述层叠体用于：在所述剥离剂层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板剥离，所述剥离剂组合物含有：光吸收化合物和溶剂，所述光吸收化合物通过吸收所述光而有助于所述半导体基板或所述电子器件层与所述支承基板变得容易剥离，该溶剂含有水。
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公开(公告)号：CN117716475A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202280051910.5
申请日：2022-07-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种层叠体的制造方法，其包括：在支承基板的表面形成第一粘接剂涂布层的工序；在半导体基板的表面形成第二粘接剂涂布层的工序；以及进行第一粘接剂涂布层与第二粘接剂涂布层的贴合和加热，由第一粘接剂涂布层和第二粘接剂涂布层形成粘接层的工序，第一粘接剂涂布层由第一粘接剂组合物形成，第二粘接剂涂布层由第二粘接剂组合物形成，第一粘接剂组合物和第二粘接剂组合物中的一者含有第一热固化成分和在催化剂存在下与第一热固化成分反应的第二热固化成分，另一者含有催化剂，第一粘接剂组合物和第二粘接剂组合物中的至少任意者含有剥离剂成分。
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公开(公告)号：CN113165344B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201980077764.1
申请日：2019-11-26
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: B32B27/00 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , B32B7/12
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其用于在由半导体形成基板构成的第一基体与由支承基板构成的第二基体之间形成以能剥离的方式粘接的粘接层，所述粘接剂组合物包含：成分(A)，通过氢化硅烷化反应而固化；以及剥离成分(B)，含有包含环氧改性聚有机硅氧烷的成分，所述成分(A)包含聚硅氧烷(A1)和铂族金属系催化剂(A2)，所述聚硅氧烷(A1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q单元)等，所述聚硅氧烷(A1)包含聚有机硅氧烷(a1)和聚有机硅氧烷(a2)，所述聚有机硅氧烷(a1)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q’单元)等，所述聚有机硅氧烷(a2)包含SiO2所示的硅氧烷单元(Q”单元)等，并且官能团(Si－H)的量为5.0mol/kg以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109417026B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201780038781.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09J5/06 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/05
Abstract: 本发明的课题是提供在晶片的背面研磨后可以容易地剥离，耐热性、洗涤除去性容易的粘接剂。解决手段是一种粘接剂，是用于在支持体与晶片的电路面之间可剥离地粘接从而对晶片的背面进行加工的粘接剂，通过从支持体侧或晶片侧进行加热而该粘接剂固化，从而能够选择粘接层的剥离时的剥离面。上述粘接剂包含：通过氢化硅烷化反应而固化的成分(A)、和包含聚二甲基硅氧烷的成分(B)。成分(B)为具有1100mm2/s～2000000mm2/s的粘度的聚二甲基硅氧烷。一种叠层体的形成方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热。一种剥离方法，将在第一基体的表面涂布粘接剂而成的粘接层与第二基体的表面接合，从第一基体侧进行加热从而固化而形成叠层体，然后对叠层体进行加工，在第一基体与粘接层之间发生剥离。
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公开(公告)号：CN115315789A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023491.X
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/24
Abstract: 本发明提供一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物来剥离半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离用组合物包含溶剂，不包含盐，所述溶剂包含80质量％以上的式(L)所示的有机溶剂。(式中，L表示取代至苯环上的取代基，分别独立地表示碳原子数1～4的烷基，k表示L的数量，为0～5的整数。)
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公开(公告)号：CN115315788A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180023490.5
申请日：2021-03-22
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D7/26 , C11D7/34
Abstract: 一种半导体基板的清洗方法，其包括使用剥离用组合物剥离半导体基板上的粘接层的工序，上述剥离用组合物包含溶剂且不含盐，上述溶剂包含80质量％以上的式(L)所表示的有机溶剂。(式中，L1和L2分别独立地表示碳原子数2～4的烷基，L3表示O或S。)L1‑L3‑L2 (L)。
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公开(公告)号：CN114867810A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089720.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J11/08 , C09J183/04 , C09J183/05 , C09J183/07 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其包含粘接剂成分(S)；以及剥离成分(H)，由复数粘度为3400(Pa·s)以上的聚有机硅氧烷构成。
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公开(公告)号：CN114730709A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079477.7
申请日：2020-11-16
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种清洗剂组合物，其特征在于，所述清洗剂组合物用于去除粘接剂残留物，所述清洗剂组合物含有季铵盐和溶剂，所述溶剂含有第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂是式(Z)所示的酰胺衍生物，所述第二有机溶剂是与所述酰胺衍生物不同的其他有机溶剂，所述清洗剂组合物的含水量小于4.0质量％。(式中，R0表示乙基、丙基或异丙基，RA和RB相互独立地表示碳原子数1～4的烷基。)。
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