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公开(公告)号：CN1902550B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200480039112.2
申请日：2004-12-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C23C18/02 , C23C18/06 , C23C18/1204 , C23C18/1295 , C23C26/00 , H01L21/0276 , H01L21/318
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中可作为掩模使用的下层膜，其不与光致抗蚀剂层发生混合、可以利用旋涂法来形成。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种形成在半导体器件的制造中使用的下层膜的组合物，其特征在于，含有平均粒径为1～1000nm的金属氮化物粒子和有机溶剂，上述金属氮化物粒子含有选自钛、硅、钽、钨、铈、锗、铪、镓中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN100573327C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200480031792.3
申请日：2004-10-29
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种光刻用下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有至少50%的羟基成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂。
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公开(公告)号：CN101107569A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002801.5
申请日：2006-01-06
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/28 , C08F20/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/094
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合、可以使具有纵横比很大的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的形成光刻用下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：具有2个以上的被保护的羧基的化合物、具有2个以上的环氧基的化合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN100351309C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200480022026.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其含有：具有被保护的羧基的化合物、具有可以与羧基反应的基团的化合物、和溶剂，或者一种形成下层膜的组合物，其含有：具有可以与羧基反应的基团和被保护的羧基的化合物、和溶剂。
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公开(公告)号：CN1830202A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200480022026.0
申请日：2004-07-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其含有：具有被保护的羧基的化合物、具有可以与羧基反应的基团的化合物、和溶剂，或者一种形成下层膜的组合物，其含有：具有可以与羧基反应的基团和被保护的羧基的化合物、和溶剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104765252A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510106827.5
申请日：2007-10-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
CPC classification number: G03F7/09 , G03F7/091 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明的课题是提供在半导体装置制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明解决问题的方法是，一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上涂布含有聚合物、交联剂和光产酸剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，从而形成涂膜的工序；通过对所述涂膜进行光照来形成下层膜的工序；通过在所述下层膜上涂布光致抗蚀剂用组合物并进行加热，来形成光致抗蚀剂的工序。上述聚合物是构成聚合物的主链或与主链结合的侧链具有苯环、杂环的聚合物。聚合物中苯环的含量为30～70质量％。聚合物是含有内酯结构的聚合物。
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公开(公告)号：CN101164014B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680013280.3
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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公开(公告)号：CN102621814A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210060721.2
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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公开(公告)号：CN101180579B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200680017624.8
申请日：2006-05-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L83/16 , C09D5/00 , C09D183/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C09D183/16 , G03F7/11 , Y10S430/128
Abstract: 本发明的课题在于提供一种光刻用下层膜，是在半导体器件制造的光刻工序中使用的下层膜，其可以用作硬掩模，并且不与光致抗蚀剂发生混合；还提供一种用于形成该下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种在半导体器件制造的光刻工序中使用形成光刻用下层膜的组合物，其含有：聚硅烷化合物、交联性化合物、交联催化剂和溶剂，其中聚硅烷化合物是在主链具有硅-硅键的聚硅烷化合物。
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公开(公告)号：CN1774673B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200480010255.0
申请日：2004-04-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11
Abstract: 本发明提供一种在半导体器件制造中的光刻工艺中使用的下层膜，其不会与光致抗蚀剂层发生混合、比光致抗蚀剂具有更大的干蚀刻速度。具体来说，是提供一种形成下层膜的组合物，其含有发泡剂、有机材料和溶剂、或含有具有发泡性基团的聚合物和溶剂，其用于形成在半导体器件制造中使用的多孔质下层膜。由该组合物形成的下层膜，形成了在其内部具有空孔的多孔质结构，可以实现很大的干蚀刻速度。
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