公开(公告)号：CN119923581A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380067905.8

申请日：2023-09-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中一生 ,  横井辽太郎 ,  大井达也 ,  桥本翔 ,  长命翔太 ,  宫本幸大 ,  角田丰

IPC: G02B1/116 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B5/02 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明的抗反射膜(10)依次具有透明膜基材(11)、硬涂层(12)、底漆层(13)以及抗反射层(14)。抗反射层(14)是折射率不同的多个薄膜的层叠体。底漆层(13)是以氧化铟锡为主成分的薄膜，且氧化锡相对于氧化铟与氧化锡的总和的量为15重量％以上。

公开(公告)号：CN117157560A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280026381.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高见佳史 ,  上田惠梨 ,  远藤宽也 ,  横井辽太郎

IPC: G02B1/14

Abstract: 光学层叠体(100)包含在薄膜基材(10)上具备硬涂层(11)的硬涂薄膜(1)、和与硬涂层(11)接触的无机薄膜(5)。硬涂层(11)包含无机微粒，在与无机薄膜(5)的界面附近，无机微粒的粒径与硬涂层整体相比相对较大、或无机微粒的含量与硬涂层整体相比相对较大。光学层叠体的硬度高，无机薄膜的密合性优异，且具有良好的操作性。

公开(公告)号：CN115279585A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202180021545.9

申请日：2021-03-01

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 横井辽太郎 ,  中井孝洋 ,  梨木智刚

IPC: B32B15/04 ,  B32B3/10 ,  B32B3/14 ,  B32B7/025 ,  B32B9/00 ,  B32B15/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种电磁波透过性金属光泽构件，其具备：基体、以连续状态设置于前述基体上的含有氧化铟的层、和在前述含有氧化铟的层上形成的金属层，前述金属层包含多个部分，所述多个部分中，至少一部分处于彼此不连续的状态，作为前述金属层与前述含有氧化铟的层的层叠体的薄层电阻为2.50E+8Ω/□以上。

公开(公告)号：CN114746775A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080081900.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 片桐正义 ,  远藤宽也 ,  横井辽太郎 ,  高见佳史 ,  梨木智刚

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/023 ,  B32B27/18 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G02B5/02 ,  G02F1/1335 ,  G09F9/00 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 防反射薄膜(101)具备：于在透明薄膜基材(10)的一个主面上具备硬涂层(11)的硬涂薄膜(1)的硬涂层(11)上依次设置的防反射层(5)及防污层(7)。硬涂层包含粘结剂及粒径为1～8μm的微粒。防反射层包含层叠体，所述层叠体为折射率不同的多个薄膜的层叠体。防反射薄膜的雾度为1～18％、防污层表面的算术平均粗糙度Ra为0.05～0.25μm、凹凸的平均间隔RSm为60～200μm。

公开(公告)号：CN111103637A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201911019135.1

申请日：2019-10-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高见佳史 ,  横井辽太郎 ,  梨木智刚

IPC: G02B1/115 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明提供一种在宽频带中具有优异的反射特性(低反射性)且着色被抑制的防反射薄膜。本发明的防反射薄膜依次具有：透明基材、从该透明基材起的依次的密合层、第一Nb2O5层、第一SiO2层、第二Nb2O5层、第二SiO2层和防污层，第一Nb2O5层的光学膜厚为28nm～33nm，第一SiO2层的光学膜厚为43nm～57nm，第二Nb2O5层的光学膜厚为264nm～288nm，第二SiO2层的光学膜厚为113nm～129nm。