公开(公告)号：CN119923581A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380067905.8

申请日：2023-09-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 田中一生 ,  横井辽太郎 ,  大井达也 ,  桥本翔 ,  长命翔太 ,  宫本幸大 ,  角田丰

IPC: G02B1/116 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B5/02 ,  G06F3/041 ,  G09F9/00

Abstract: 本发明的抗反射膜(10)依次具有透明膜基材(11)、硬涂层(12)、底漆层(13)以及抗反射层(14)。抗反射层(14)是折射率不同的多个薄膜的层叠体。底漆层(13)是以氧化铟锡为主成分的薄膜，且氧化锡相对于氧化铟与氧化锡的总和的量为15重量％以上。

公开(公告)号：CN119604786A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202480003258.9

申请日：2024-07-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  长命翔太 ,  中岛一裕

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/023 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明的抗反射膜(X)具备基材膜(10)、基材膜(10)上的密合层(21)、以及密合层(21)上的抗反射层(22)。就抗反射膜(X)而言，来自标准光源D65的波长380nm～780nm的照射光对抗反射层(22)侧的全反射率为0.40％以下。就抗反射膜(X)而言，规定的第一试验之后的规定的第二试验中的抗反射层(22)的剥落率小于20％。

公开(公告)号：CN117784294A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311237501.7

申请日：2023-09-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 桥本翔 ,  长命翔太 ,  宫本幸大 ,  角田丰

IPC: G02B1/111 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B1/12 ,  G16C60/00 ,  C23C14/34

Abstract: 提供防反射薄膜及其制造方法、以及图像显示装置。防反射薄膜(101)在透明薄膜基材(1)的一个主面上具备底漆层(3)和防反射层(5)。防反射层为折射率不同的多个薄膜的层叠体。底漆层为导电性金属氧化物层。底漆层优选因紫外线照射而产生的电阻的变化小。底漆层的载流子迁移率优选为13.5cm2/V·s以下。本发明的防反射薄膜在应用于具备触摸传感器的图像显示装置的情况下，不易产生触摸传感器的检测的异常。

公开(公告)号：CN119667827A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411305915.3

申请日：2024-09-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 桥本翔 ,  宫本幸大 ,  长命翔太 ,  箕浦一贵

IPC: G02B1/11 ,  G02B1/115 ,  G02B1/14 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明涉及防反射膜和图像显示装置。防反射膜(100)在透明膜基材(1)的一个主面上按顺序具备硬涂层(2)和防反射层(5)，该防反射层(5)包括折射率不同的多个薄膜。防反射膜的反射率为1％以下。在防反射膜的以防反射层侧的面为内侧并以弯曲半径2mm弯曲180°的状态下，硬涂层的压缩应力的最大值为375MPa以下，防反射层的压缩应力的最大值为530MPa以下。压缩应力通过基于有限元模型的计算来求出。

公开(公告)号：CN117784295A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311237502.1

申请日：2023-09-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 桥本翔 ,  长命翔太 ,  宫本幸大 ,  角田丰

IPC: G02B1/111 ,  G02B1/14 ,  G02B1/16 ,  G02B1/12 ,  G16C60/00 ,  C23C14/34

Abstract: 提供防反射薄膜及其制造方法、以及图像显示装置。防反射薄膜(101)在透明薄膜基材(1)的一个主面上具备底漆层(3)和防反射层(5)。防反射层为折射率不同的多个薄膜的层叠体。底漆层为氧化铟锡层，在X射线光电子能谱的C1s光谱中，优选532eV的峰强度为530eV的峰强度的0.93倍以下。底漆层的厚度优选为0.5～10nm。本发明的防反射薄膜在应用于具备触摸传感器的图像显示装置的情况下，不易产生触摸传感器的检测的异常。

公开(公告)号：CN119604787A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202480003259.3

申请日：2024-07-09

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 长命翔太 ,  宫本幸大 ,  中岛一裕

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/023 ,  G02B1/14

Abstract: 本发明的抗反射膜(X)具备基材膜(10)、基材膜(10)上的密合层(21)、以及密合层(21)上的抗反射层(22)。抗反射层(22)包括与密合层(21)相接的高折射率层(22a)和高折射率层(22a)上的低折射率层(22b)。抗反射层(22)的与基材膜(10)相反一侧的表面(22A)的表面粗糙度Sa为4.5nm以下。在抗反射膜(X)的厚度方向(H)的剖视观察下，高折射率层(22a)与低折射率层(22b)的界面处的第二界面长度(L2)相对于基材膜(10)与密合层(21)的界面处的第一界面长度(L1)的比率(L2/L1)为1.10以上。

公开(公告)号：CN119096168A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380035774.5

申请日：2023-04-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宫本幸大 ,  长命翔太 ,  桥本翔 ,  角田丰

IPC: G02B1/115 ,  B32B7/027 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 抗反射膜(10)依次具有：透明膜基材(11)、硬涂层(12)以及抗反射层(13)。抗反射膜(10)的耐热性试验前后的第一方向的尺寸变化率优选为－0.10％以上且0.10％以下。此外，抗反射膜(10)的耐湿热性试验前后的第一方向的尺寸变化率优选为0.01％以上且0.20％以下。透明膜基材(11)优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。