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公开(公告)号：CN105492655A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201480047600.1
申请日：2014-09-24
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电性膜的制造方法，可以更高速度地形成被低电阻化了的透明导电层。本发明是包括在基材膜上利用溅射法由含有铟-锡复合氧化物的靶形成透明导电层的工序的透明导电性膜的制造方法，所述溅射法是在溅射成膜装置的每1个溅射室具备的2个所述靶处分别连接DC电源而进行的DC双靶溅射法。
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公开(公告)号：CN103345962A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310269101.4
申请日：2012-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01L31/1884 , H05K1/09 , H05K2201/0326 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜（10）具备薄膜基材（11）、和形成在薄膜基材（11）上的透明导体图案（12）、和埋设透明导体图案（12）的粘合剂层（13）。透明导体图案（12）具有在薄膜基材（11）上层叠有第一铟锡氧化物层（14）和第二铟锡氧化物层（15）的双层结构。第一铟锡氧化物层（14）的氧化锡含量比第二铟锡氧化物层（15）的氧化锡含量多。第一铟锡氧化物的晶体层（14）的厚度比第二铟锡氧化物的晶体层（15）的厚度薄。
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公开(公告)号：CN115298759A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021961.9
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , H01B1/20 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/20 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/022 , G02F1/1343 , G06F3/041 , B32B7/023 , B32B7/025 , B32B7/028 , G02F1/1333 , B32B9/04 , H01L31/0224 , B32B9/00 , H01B1/08
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(1)朝着厚度方向的一面侧依次具备透明树脂基材(21)和透明导电层(3)。透明导电层(3)含有氪，透明导电层(3)的霍尔迁移率为20.5cm2/V·s以上。
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公开(公告)号：CN115298758A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021919.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B5/14 , B32B9/00 , B32B9/04 , H01L31/0224 , H01B5/16 , H01B13/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K9/00 , B32B7/00 , B32B7/023 , B32B7/025 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G06F3/041
Abstract: 本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和非晶质的透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪，且具有40×1019cm‑3以上的载流子密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111508641A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010075277.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)和非晶质透明导电层(5)，透明基材(2)含有环烯烃系树脂，非晶质透明导电层(5)能转化为结晶质，非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率超过25.0(cm2/V·s)，将非晶质透明导电层(5)结晶转化后的结晶质透明导电层(6)的霍尔迁移率比非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率大。
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公开(公告)号：CN111508640A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010075012.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)和非晶质透明导电层(5)，透明基材(2)含有环烯烃系树脂，非晶质透明导电层(5)能转化为结晶质，非晶质透明导电层(2)的霍尔迁移率为20.0(cm2/V·s)以上且31.0(cm2/V·s)以下，将非晶质透明导电层(5)的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将结晶质透明导电层(6)的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、移动距离设为{(Xc-Xa)2+(Yc-Ya)2}1/2时，移动距离不足50.0。
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公开(公告)号：CN103282862A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180063105.6
申请日：2011-10-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: G06F3/041 , G02F1/1333 , G06F3/044 , G09F9/00
CPC classification number: G02F1/13338 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , Y10T156/1062
Abstract: 本发明提供一种用于具备静电容型触摸输入功能的显示面板装置的光学单元。在光学单元中，触摸面板叠层体具备：叠层在透明的粘接剂层的一面的光学透明的第一基体材料层、隔着第一底涂层叠层在与该粘接剂层相反侧的第一基体材料层的面上的第一透明导电层、叠层在该粘接剂层的另一面的光学透明的第二基体材料层、以及隔着第二底涂层叠层在与该粘接剂层相反侧的第二基体材料层的面上的第二透明导电层。偏光功能叠层体具备包含圆偏光元件的层，且隔着透明的粘接剂层叠层在触摸面板叠层体的具有第一透明导电层及第二透明导电层中的一个的面上。另外，在触摸面板叠层体上，在具有第一透明导电层及第二透明导电层中的另一个的面上隔着透明的粘接剂层可剥离地接合剥离衬。
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