磁控等离子体成膜装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113631752A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080023691.0

    申请日:2020-03-19

    Abstract: 磁控溅射成膜装置(1)具备成膜辊(14)和与成膜辊(14)相对配置的磁控等离子体单元(15)。磁控等离子体单元(15)具备:旋转靶(16),其轴线在与成膜辊(14)的轴线相同的方向上延伸;和磁体单元(200),其配置于旋转靶(16)的径向内侧。在下述中所求出的角度(θ)是30度以下。在旋转靶(16)的外周面上,朝向旋转靶(16)的圆周方向的一方向测定旋转靶(16)的磁通密度的切线方向分量。求出连结相当于磁通密度的最大的切线方向分量的点(MAX_P)和旋转靶(16)的中心的线段(LS1)与连结相当于磁通密度的最小的切线方向分量的点(MIN_P)和中心的线段(LS2)所成的角度(θ)。

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