-
公开(公告)号：CN107533880A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201580078944.3
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种耐擦伤性高、在短时间内完成透明导电层的结晶化的透明导电性薄膜。在透明的基材薄膜(11)上依次层叠有硬涂层(12)、光学调整层(13)和透明导电层(14)的透明导电性薄膜(10)。硬涂层(12)的厚度为250nm～2000nm，光学调整层(13)的厚度是硬涂层的厚度的2％～10％。透明导电层(14)的结晶化例如通过140℃、30分钟的热处理来完成。
-
公开(公告)号：CN106460153A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
-
公开(公告)号：CN106062888A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011395.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种即使为了提高耐擦伤性而包含干式光学调整层，透明导电层也具有适当的蚀刻速度的透明导电性薄膜。在透明的薄膜基材(11)的主表面依次层叠有光学调整层(12)和透明导电层(13)的透明导电性薄膜(10)。光学调整层(12)包含含有无机氧化物的干式光学调整层。透明导电层(13)包含含有铟的金属氧化物。透明导电层(13)为结晶质，且至少具有对应于(400)面、(440)面的X射线衍射峰，将(400)面的X射线衍射峰强度设为I400、将(440)面的X射线衍射峰强度设为I440时，X射线衍射峰强度之比I440/I400为1.0～2.2的范围。
-
公开(公告)号：CN105302358A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303423.5
申请日：2015-06-04
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供透明导电性薄膜，其透明性和处理性良好、且电阻率更小。透明导电性薄膜(1)至少依次具有聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)、固化层(3)、无机硅氧化物层(4)及铟-锡氧化物层(5)。聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(2)的厚度为40μm～130μm。并且固化层(3)在该固化层内具备多个无机颗粒(3b)。固化层(3)的厚度(dA)与无机硅氧化物层(4)的厚度(dB)的总和为300nm以上并且不足3000nm。无机硅氧化物层(4)的厚度超过15nm，铟-锡氧化物层(5)的厚度为15nm以上并且50nm以下，且其表面的中心线平均粗糙度Ra为0.1nm以上并且不足2nm。
-
公开(公告)号：CN107615223B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201680030771.2
申请日：2016-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种透明导电性薄膜，其在厚度方向依次具备透明基材、含有树脂及无机颗粒的折射率调整层、含有无机原子的密合层、以及透明导电层，密合层与折射率调整层接触，折射率调整层的与密合层接触侧的界面附近区域中，无机原子数相对于碳原子数的比不足0.05。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107112074B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201580071521.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: [课题]实现以高水平维持光学特性(透过率、透明导电层的图案视觉识别性等)、并且即使在高温高湿环境下基材薄膜与透明导电层等的密合性也高的透明导电性薄膜。[解决方案]透明导电性薄膜(10)具备：透明的基材薄膜(11)、基材薄膜(11)的一个主面上的厚度1.5nm～8nm的防剥离层(12)、防剥离层(12)上的厚度10nm～25nm的光学调整层(13)、以及光学调整层(13)上的具有图案的透明导电层(14)。从透明导电层(14)侧测定的透过Y值为88.0以上，图案部(15)与非图案部(16)的反射色差ΔE为7.0以下。
-
公开(公告)号：CN105492653B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201580001716.6
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜，所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子％以下，所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下，所述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且2.8×10‑4Ω·cm以下。
-
公开(公告)号：CN105452520B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201580001267.5
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)、配置在透明基材(2)的厚度方向的一侧且由树脂层形成的第1光学调整层(4)、在第1光学调整层(4)的厚度方向的一侧以与第1光学调整层(4)接触的方式配置的无机物层(5)、以及配置在无机物层(5)的厚度方向的一侧的透明导电层(6)。无机物层(5)的厚度为10nm以下，透明导电层(6)的厚度方向的一侧的表面的表面粗糙度为1.40nm以下。
-
公开(公告)号：CN107112074A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071521.9
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: [课题]实现以高水平维持光学特性(透过率、透明导电层的图案视觉识别性等)、并且即使在高温高湿环境下基材薄膜与透明导电层等的密合性也高的透明导电性薄膜。[解决方案]透明导电性薄膜(10)具备：透明的基材薄膜(11)、基材薄膜(11)的一个主面上的厚度1.5nm～8nm的防剥离层(12)、防剥离层(12)上的厚度10nm～25nm的光学调整层(13)、以及光学调整层(13)上的具有图案的透明导电层(14)。从透明导电层(14)侧测定的透过Y值为88.0以上，图案部(15)与非图案部(16)的反射色差ΔE为7.0以下。
-
公开(公告)号：CN107533880B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201580078944.3
申请日：2015-10-30
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 实现一种耐擦伤性高、在短时间内完成透明导电层的结晶化的透明导电性薄膜。在透明的基材薄膜(11)上依次层叠有硬涂层(12)、光学调整层(13)和透明导电层(14)的透明导电性薄膜(10)。硬涂层(12)的厚度为250nm～2000nm，光学调整层(13)的厚度是硬涂层的厚度的2％～10％。透明导电层(14)的结晶化例如通过140℃、30分钟的热处理来完成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.02 seconds)
