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公开(公告)号：CN104246026B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380020512.8
申请日：2013-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液；以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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公开(公告)号：CN105568362A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510718196.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。本发明提供了一种不形成缓冲层且穿透位错密度小的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使用具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液，使SiC单晶自SiC晶种基板生长的SiC单晶的制造方法，其包括：所述Si-C溶液包含Si和Cr，将所述晶种基板中的硼密度Bs与所述生长的SiC单晶中的硼密度Bg的硼密度差Bs-Bg设为1×1017个/cm3以上，将所述晶种基板中的铬密度Crs与所述生长的SiC单晶中的铬密度Crg的铬密度差Crg-Crs设为1×1016个/cm3以上，并且将所述晶种基板的氮密度Ns与所述生长的SiC单晶的氮密度Ng的氮密度差Ng-Ns设为3.5×1018个/cm3～5.8×1018个/cm3。
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公开(公告)号：CN104246026A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020512.8
申请日：2013-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使Si-C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1-100)面接触Si-C熔液；以及在籽晶的(1-100)面上以小于20×10-4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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公开(公告)号：CN113539834B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202110376723.1
申请日：2021-04-07
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L21/38 , H01L21/40 , H01L21/426 , H01L21/477
Abstract: 本公开提供能够降低故障的风险的半导体元件的制造方法。本公开的制造方法是半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供在氧化镓系单晶半导体层的表面上形成有金属电极层且在上述氧化镓系单晶半导体层的表面上的没有层叠上述金属电极层的露出部的至少一部分掺杂有掺杂剂的半导体元件前驱体；及对上述半导体元件前驱体进行退火处理，由此，使上述掺杂剂向上述氧化镓系单晶半导体层中的与上述金属电极层在层叠方向上重叠的部分扩散，在上述氧化镓系单晶半导体层与上述金属电极层之间形成肖特基结。
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公开(公告)号：CN106884205B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201611075636.8
申请日：2016-11-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶及其制造方法。提供不含多晶、除侧面端部外不含裂纹的SiC单晶。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴(12)下端面的晶种基板(14)与配置在坩埚(10)内的具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液(24)接触从而使SiC单晶晶体生长的SiC单晶的制造方法，其中，晶种保持轴(12)的端面的外形小于晶种基板(14)的顶面的外形，晶种基板(14)的顶面具有与晶种保持轴(12)的下端面的整个面相接而被保持的中央部(15)、和不与晶种保持轴(12)的下端面相接的外周部(16)，该方法包括：在晶种基板(14)的顶面配置碳片材(30)，使得覆盖中央部(15)和外周部(16)中的至少外周部(16)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103534792B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201280023671.9
申请日：2012-05-04
Applicant: 丰田自动车株式会社 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L21/263 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括：在SiC衬底上形成SiC外延层；向所述外延层注入离子；形成吸杂层，所述吸杂层具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度；以及对所述外延层进行热处理。所述半导体器件包括：SiC衬底；SiC外延层，其形成在所述SiC衬底上；以及吸杂层，其具有比所述SiC衬底的缺陷密度高的缺陷密度。
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公开(公告)号：CN103608497B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180071725.4
申请日：2011-08-02
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B11/14 , C30B9/06 , C30B29/36 , Y10T428/24488
Abstract: 提供结晶性高的大口径的SiC单晶。一种SiC单晶，其包含：具有c面以及非c面的籽晶；和以所述籽晶的c面以及非c面为基点，在c面方向以及非c面方向生长了的c面生长部以及口径扩大部，在与所述籽晶的c面平行的、包含所述籽晶以及所述口径扩大部的平面内，在所述平面内的周边部存在不含贯穿位错的连续区域，所述连续区域的面积相对于所述平面整体的面积占有50%以上的面积。
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公开(公告)号：CN104350186B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201380029937.5
申请日：2013-04-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/062 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 提供包含贯穿位错密度小且具有低电阻率的SiC单晶的锭、SiC单晶、以及该SiC单晶的制造方法。一种SiC单晶锭，包含籽晶和以所述籽晶为基点采用熔液法生长出的生长晶体，生长晶体包含向以籽晶为基点而生长了的方向氮含量增加的氮密度梯度层。
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公开(公告)号：CN104350186A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380029937.5
申请日：2013-04-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
CPC classification number: C30B19/062 , C30B9/00 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/04 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B19/12 , C30B29/36
Abstract: 提供包含贯穿位错密度小且具有低电阻率的SiC单晶的锭、SiC单晶、以及该SiC单晶的制造方法。一种SiC单晶锭，包含籽晶和以所述籽晶为基点采用熔液法生长出的生长晶体，生长晶体包含向以籽晶为基点而生长了的方向氮含量增加的氮密度梯度层。
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公开(公告)号：CN115602703A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210765593.5
申请日：2022-06-30
Applicant: 丰田自动车株式会社(JP)
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/34
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置具有：n型氧化镓半导体层，具有中央区域以及施主密度比所述中央区域低的周边区域；电极层，层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，在所述中央区域中与所述n型氧化镓半导体层形成肖特基结；以及第一p型氧化镍半导体层，以部分地配置于所述n型氧化镓半导体层与所述电极层之间的方式层叠于所述n型氧化镓半导体层之上，并且在从层叠方向观察时，所述周边区域侧的外周端部处于所述周边区域。
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