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公开(公告)号：CN115256757A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210884537.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明公开了基于工业自动化的高精度压模设备，包括仓体，所述仓体内部的一侧设有电动气缸，所述电动气缸的输出端设有下底座，所述仓体内部底部的两端对称设有滑轨，所述下底座位于滑轨的顶部，所述下底座顶部的一侧铰接有上底座，所述上底座的内部设有固定组件；本发明通过滚轮、滑杆A、连接弹簧A、滑杆B、齿条、转杆和齿轮A的配合下，将模具放于上底座的顶部然后移动到指定位置处后，能自动对模具进行夹持，并使其保持在中间位置方便进行压模，并且在压模的过程中，还保证其稳定状态，在需要对模具进行更换时，将上底座移动至外部，能自动解除对模具的夹持状态，从而方便对模具进行更换，提高其便利性。
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公开(公告)号：CN114915930A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210368780.X
申请日：2022-04-08
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明公开了物联网领域内的一种基于无线充电的物联网无线终端卸载方法，包括以下步骤：1）无线终端与基站共同组成一个边缘子网络；2）建立以系统计算速率最高为目标函数，选取无线充电时间、任务卸载时间、信道增益、卸载动作为决策变量；3）将信道增益输入深度神经网络进行训练，训练过程获得K个卸载决策，使用一维二分法计算系统的计算速率，得到当次最优时间分配以及对应的卸载决策，再将其与信道增益进行合并、存储至经验池，并从经验池随机抽取样本来训练深度神经网络，然后同步更新深度神经网络的参数，多次迭代后得到趋于稳定的卸载决策，作为最优卸载决策，本发明实现了无线充电与边缘计算卸载无法效率最大化问题。
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公开(公告)号：CN114864303A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210576404.X
申请日：2022-05-25
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明涉及一种超级电容器电极材料及其制备方法，属于新能源技术领域，包括以下步骤：将纤维素纳米晶体粉末加入至聚酰胺酸溶液中,在管式炉中在氮气气氛下先加热,退火，再与氨化多孔碳纤维超声分散在乙醇溶液中得到碳化聚酰亚胺/纤维素‑多孔碳纤维复合材料；再与MnSO4溶液和过硫酸铵超声分散在N，N二甲基酰胺中，得到电极活性材料；将电极活性材料、炭黑和聚四氟乙烯分散在乙醇溶液中形成糊状物，然后将混合物涂在泡沫镍集电器上，经压制和干燥，即得一种超级电容器电极材料。本发明通过在碳化聚酰亚胺/纤维素上复合氨化多孔碳纤维增加材料的孔隙率，再原位沉积γ‑MnO2，大大增加了电极材料的能量密度。
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公开(公告)号：CN114823948A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210366203.7
申请日：2022-04-08
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/028 , H01L31/113
Abstract: 本发明公开了通讯技术领域一种可调节电偏置悬挂式石墨烯场效应管，包括栅极、SiO2衬底、单层石墨烯、源极、漏极；SiO2衬底的表面四个角方向上设置有四个金电极，四个金电极分别作为一对器件的源极和漏极，栅极设置也有一对，SiO2衬底的表面中部开设有多道梯形沟道，单层石墨烯设置有两个，其中一个单层石墨烯设置在SiO2衬底表面上、且在宽沟道位置形成悬浮式弧形面结构，两侧与金电极上形成欧姆连接；另一个单层石墨烯设置在SiO2衬底表面上、且在窄沟道位置形成悬浮式弧形面结构，两侧与金电极上形成欧姆连接，本发明提高辐射效率从而使得场效应管可产生太赫兹辐射信号、并且通过调节沟道宽度来调节信号辐射频率。
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公开(公告)号：CN113307357B
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110624597.7
申请日：2021-06-04
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: C02F3/02 , C02F3/10 , C02F3/34 , C02F101/34
Abstract: 本案涉及一种接触氧化法处理有机废水的装置，包括水处理箱，在其两侧分别设置有进水口和出水口；生物吸附剂，其放置于镂空悬浮球内，并设置在所述水处理箱内部；曝气装置，所述曝气装置包括设置在所述水处理箱外部的鼓风机，设置在所述水处理箱内部并所述与鼓风机连通的主风管以及串联所述镂空悬浮球的多个支管。将生物吸附剂放置于镂空悬浮球中，提高了与污水的接触面积，同时增加曝气面积；曝气孔直接开在镂空悬浮球的内部段位置，能直接对生物吸附剂曝气，有利于节约空气用量，且曝气孔设置成自支管孔径逐渐减小的三角形状，有利于聚集空气，从而提高曝气效率；本发明的生物吸附剂对苯酚选择性吸附率高，水体的环境影响小，吸附速度快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113019325B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110277235.5
申请日：2021-03-15
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: B01J20/20 , C08F220/34 , C08F220/24 , C01B32/318 , C01B32/336 , C01G49/08 , B01J20/30 , C02F1/28 , C02F101/34
Abstract: 本案涉及一种磁性吸附材料及其制备方法，以含氟甲基丙烯酸酯单体和末端带双键的喹啉衍生物进行自由基聚合制得聚合物前体；以8‑羟基喹啉为起始原料制得稀土金属配合物，并与Fe3O4按照1:10的质量比混合获得磁性供体助剂；将所述聚合物前体和磁性供体助剂添加到反应瓶中，水热制成共混球体，随后炭化得到磁性吸附材料。通过本案的制备方法可制得中孔含量在80％左右的磁性活性炭材料，中孔占比高，同时炭化得率大于50％，吸附性能好，对苯酚的吸附量能达到130mg/g；材料尺寸均一、流动性好，具有优异的再生性能，能够单独使用，同时也能较好的应用于流化床等设备。
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公开(公告)号：CN110416336B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201910716432.5
申请日：2019-08-05
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: H01L31/0445 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开的一种新型纳米结构薄膜太阳能电池，包括从下至上依次叠加的石英或玻璃衬底、Al电极、磷掺杂非晶硅薄膜、碳化硅薄膜界面层、硼掺杂纳米硅薄膜、石墨烯层以及Au电极。利用谐振腔机制增强p型纳米硅/n型非晶硅异质结中的光吸收，从而提高器件光电性能。本发明所提供的石墨烯/p型纳米硅/n型非晶硅异质结结构的平面薄膜太阳能电池与传统的硅基薄膜太阳能电池相比，生产成本可节约30%。该电池的设计制备工艺简单、材料消耗低，在生产过程中避免了高温烧结处理，大大降低了硅基薄膜太阳能电池的生产能耗，可有效地降低传统硅基薄膜太阳能电池的生产成本。
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公开(公告)号：CN113058569A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110277197.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本案涉及一种含氮纤维素基微球吸附材料及其制备方法，包括1)以甲基丙烯酸缩水甘油酯和六氟异丙醇为原料，制备含氟甲基丙烯酸酯单体；2)以6‑氨基喹啉为原料，制备喹啉衍生物；3)以纤维素为载体与所述含氟甲基丙烯酸酯和喹啉衍生物进行ATRP聚合得到含氮纤维素基聚合物；4)将所述含氮纤维素基聚合物用双键封端，随后与丙烯酰胺分散共聚制得含氮纤维素基微球吸附剂。通过本文的制备方法可以得到含氮量可控的纤维素基微球，较高的含氮量可有效改善材料的表面结构、导电性、润湿性，提高材料的吸附性能；本发明制得的微球尺寸均一、结构稳定、再生性能好，用于吸附塔、固定床或流化床等设备时，堆积密度均一，吸附位点多。
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公开(公告)号：CN110878061A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911299077.2
申请日：2019-12-16
Applicant: 扬州工业职业技术学院
IPC: C07D263/57 , A61K31/04 , A61K31/423
Abstract: 本发明涉及一种2-芳基取代的苯并噁唑啉类化合物及其合成方法与应用，所述2-芳基取代的苯并噁唑啉类化合物具有式I所示结构： 其中R1、R2各自独立地选自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、卤素等；m、n各自独立地选自0至4的整数。其制备方法包括如下步骤：有机溶剂中，式II化合物与式III化合物在催化剂作用下反应得到式I化合物。
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公开(公告)号：CN108832014A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810659444.4
申请日：2018-06-22
Applicant: 南京邮电大学通达学院 , 扬州工业职业技术学院
Abstract: 本发明涉及一种基于CdTe/CdS量子点的发光二极管，从下至上依次包括Au电极、P-Si衬底层、Si纳米线层、空穴传输层PVK、CdTe/CdS量子点/POSS纳米复合膜层、Au纳米棒层、ZnO电子传输层以及ITO电极。本发明采用POSS作为溶液添加剂，同时也作为CdTe/CdS QDs与ZnO之间的空穴阻挡层，维持量子点的荧光，提高成膜质量，进而提高器件性能。本发明采用P-Si为衬底，以其作为空穴注入层，有利于实现大面积的光电集成。把不同长径比的金纳米棒嵌入P-Si/PVK/CdTe/CdS QDs/POSS/ZnO结构的QLED中，利用金纳米棒表面的局域表面等离激元与发光二极管电致发光的相互耦合作用，能够明显提升器件的性能。
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