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公开(公告)号：CN208150964U
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201820262313.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开涉及微机电传感器和MEMS装置，其具有：半导体材料的传感器裸片，其具有在水平面内延伸的前表面和下表面，并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面；压阻元件，集成在传感器裸片的块体区域中，位于其前表面处；以及帽状裸片，其耦合在传感器裸片上方，覆盖压阻元件，帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面，底表面面向传感器裸片的前表面。转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间，被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽；压阻元件垂直对应于凹槽布置，并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布，这在水平面上起作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208847373U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201820582425.1
申请日：2018-04-23
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/00
Abstract: 本公开涉及应力传感器和负载检测系统。该应力传感器包括膜板；布置在膜板的顶部上的第一接合区域；布置在第一接合区域的顶部上的盖板，第一接合区域将膜板接合到盖板；跨越膜板延伸、嵌入接合层中的三维压阻元件；以及跨过膜板延伸、被接合层包围并与接合层分离的平面压阻元件。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208847381U
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201821002537.1
申请日：2018-06-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开提供了一种微机电换能器。该微机电换能器包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的半导体本体。多个沟槽在半导体本体中从第一表面朝向第二表面延伸，其包括具有沿着第一轴线的相应主延伸方向的第一对沟槽以及具有沿着第二轴线的相应主延伸方向的第二对沟槽，第二轴线与第一轴线正交。第一压阻式传感器和第二压阻式传感器在分别被布置在第一对沟槽和第二对沟槽之间的半导体本体的第一表面处延伸。第一压阻式传感器、第二压阻式传感器和多个沟槽形成有源区。第一结构体被机械地耦接到半导体本体的第一表面以形成包围有源区的第一密封腔体。通过本公开，允许获得基于硅技术的多轴力传感器，其能够测量法向力和面外剪切力两者。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207108473U
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201621483757.1
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: G01L1/18 , G01L1/04 , G01L9/0041
Abstract: 一种对热机械封装应力具有低灵敏度的小型负荷传感器装置(10)，布置在形成腔室(24)的封装(12)中。该封装(12)具有可变形衬底(21)，该可变形衬底被配置成在使用中通过外力而变形。传感器单元(11)与可变形衬底(21)直接接触，并且被配置为检测可变形衬底的变形。弹性元件(15)布置在腔室(24)内部并且作用在封装(12)和传感器单元(11)之间，以在传感器单元上产生保持传感器单元与可变形衬底接触的力。例如，可变形衬底是封装(12)的基部(21)，并且弹性元件是布置在所述封装(12)的盖(22)和传感器单元(11)之间的金属薄板(15)。传感器单元(11)可以是集成有压敏电阻器的半导体管芯。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208672196U
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201820410454.X
申请日：2018-03-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01L1/22
Abstract: 本公开涉及微机电换能器。例如，一种微机电换能器包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至半导体本体的第一表面；第一密封腔，位于半导体本体和第一结构本体之间；以及活跃区域，容纳在第一密封腔中，包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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