公开(公告)号：CN117746946A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311862202.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 杨建国 ,  杨宏虎 ,  蒋海军

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。

公开(公告)号：CN118335149A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311774920.4

申请日：2023-12-21

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 蒋海军 ,  杨建国

IPC: G11C13/00

Abstract: 本公开提供一种基于忆阻器的动态调整读参考的写校验方法、电路及存储器，包括：读电路，用于对进行了写入操作的忆阻器单元进行校验操作，以校验写入操作是否成功；读写逻辑控制单元，用于控制读电路进行的校验操作；读参考比较输出电路，用于将忆阻器单元进行校验操作时输出的校验信号与读参考信号进行比较，根据比较结果输出表示写入操作是否成功的信号；读参考信号产生电路，用于产生读参考信号，在写入操作校验失败的情况下，读写逻辑控制单元控制读参考信号产生电路调整读参考信号的大小，并控制读参考比较输出电路将校验信号与调整后的读参考信号进行比较，直至读参考比较输出电路输出表示写入操作成功的信号为止。