公开(公告)号：CN117993513A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410175853.2

申请日：2024-02-07

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 杨建国 ,  刘一璇 ,  蒋海军

IPC: G06N10/40 ,  G06N10/20 ,  H03K3/03

Abstract: 本发明公开了伊辛机核心电路、其单元以及用于其退火的方法。一种用于伊辛机核心电路的单元包括：环形振荡器，用于产生两个交互信号并提供输出信号，这两个交互信号分别与两个相反的自旋状态相关联，输出信号与单元的所确定的自旋状态相关联；多个耦合模块，每个耦合模块将环形振荡器与相邻单元进行多级电容性耦合；读出模块，与环形振荡器耦合，用于基于输出信号产生读出信号，该读出信号指示单元的所确定的自旋状态；以及存储模块，与多个耦合模块耦合，用于存储指示单元与相邻单元之间的耦合权重的信息。

公开(公告)号：CN117935879A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410108496.8

申请日：2024-01-25

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 杨建国 ,  赵晨阳 ,  杨宏虎 ,  蒋海军

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种忆阻器读取方法及计算机可读取介质，能避免读取速度和裕量降低，减少整个电路完成训练的耗时，提高电路稳定性，并降低电路设计成本。所述忆阻器读取方法用于在片上训练时读取存储于阻变寄存器的数据，所述阻变寄存器包括：忆阻器，该忆阻器的一端连接至位线；以及选择晶体管，该选择晶体管的漏极与所述忆阻器的另一端相连接，源极连接至源线，所述忆阻器读取方法的特征在于，包括：将所述位线固定为高电平的步骤；通过将所述源线设为低电平来选取要读取的所述阻变寄存器的步骤；以及读取所述位线上的反向电流来实现反向读取的步骤，所述反向电流的大小表征存储于所述阻变寄存器的数据。

公开(公告)号：CN117746946A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311862202.2

申请日：2023-12-29

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 杨建国 ,  杨宏虎 ,  蒋海军

IPC: G11C13/00 ,  G11C7/10

Abstract: 本发明提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。