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公开(公告)号：CN114467164A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202080068901.8
申请日：2020-08-31
Applicant: 应用材料公司
Inventor： M·S·K·穆蒂亚拉 , S·卡玛斯 , D·帕德希
IPC: H01L21/316 , H01L21/311 , H01L21/683 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01J37/32
Abstract: 示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止在半导体处理腔室内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：与所述停止步骤同时，将静电卡紧的第一电压增加到第二电压。所述方法可以包括以下步骤：净化半导体处理腔室的处理区域。
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