公开(公告)号：CN110383417A

公开(公告)日：2019-10-25

申请号：CN201880015461.2

申请日：2018-02-27

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·李 ,  K·拉马斯瓦米 ,  A·阿加沃尔 ,  王海涛

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文考虑用于增强离子能量的方法和设备。在一个实施例中，方法和装置包括控制器、具有经配置成处理晶片的对称等离子体源的工艺腔室、耦合至工艺腔室以产生等离子体密度的一个或多个特高频(VHF)源以及两个或更多个频率发生器，所述两个或更多个频率发生器相对于耦合至工艺腔室的底部电极的一个或多个VHF源产生低频，两个或更多个低频发生器经配置成耗散等离子体鞘中的能量，其中控制器控制一个或多个VHF源产生VHF信号且控制两个或更多个低频源产生两个或更多个低频信号。

公开(公告)号：CN109155275A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780032218.7

申请日：2017-05-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·拉马斯瓦米 ,  张纯磊 ,  王海涛 ,  V·D·帕科 ,  赵在龙

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687

Abstract: 描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

公开(公告)号：CN209266350U

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201820642742.8

申请日：2018-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王海涛 ,  A·侯塞因 ,  K·拉马斯瓦米 ,  J·A·肯尼 ,  J·路德维格 ,  张纯磊 ,  W·李

IPC: H01J37/32

Abstract: 本公开涉及处理腔室。该处理腔室包括：腔室主体；基板支撑件，设置在所述腔室主体内，所述基板支撑件包括静电卡盘；递归分配组件，设置在所述基板支撑件内，所述递归分配组件包括具有相等长度的多个分叉电连接；边缘环组件，设置在所述基板支撑件内并耦接到所述递归分配组件，所述边缘环组件包括导电电极，所述导电电极与所述递归分配组件电接触；绝缘支撑件，定位在所述基板支撑件上，位于所述电极上方；以及第一硅环，设置在所述绝缘支撑件上。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利