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11.

发明公开
选择性蚀刻的自对准过孔工艺有权

公开(公告)号：CN111095525A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880059509.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 , 周凯文 , 张郢 , 黄和涌

IPC: H01L21/768

Abstract: 可执行处理方法以暴露半导体基板上的接触区域。所述方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷。所述方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一电介质材料上方形成衬垫。所述方法可包括在衬垫上方形成第二电介质材料。所述方法可包括在第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模。所述方法还可包括选择性地去除第二电介质材料以暴露覆盖在凹陷的第一金属上面的衬垫的一部分。

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