公开(公告)号：CN101452826A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810182572.0

申请日：2008-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 詹尼弗·Y·孙 ,  周爱琳 ,  徐力 ,  肯尼思·S·柯林斯 ,  托马斯·格瑞斯

IPC: H01L21/00 ,  B81C5/00 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5353 ,  C04B41/91 ,  C04B35/565

Abstract: 本发明涉及一种包括碳化硅的半导体处理部件及其化学处理方法。该方法包括至少两个液体化学处理步骤，其中一个处理步骤将碳化硅转化成二氧化硅，另一个处理步骤去除二氧化硅。所述液体化学处理步骤通常在低于约100℃温度时进行。进行所述方法所需要的时间段通常小于约100小时。