公开(公告)号：CN102414790A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019343.2

申请日：2010-04-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 石川哲也 ,  D·H·考齐 ,  常安中 ,  O·克利里欧科 ,  Y·梅尔尼克 ,  H·S·拉迪雅 ,  S·T·恩古耶 ,  L·庞

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/02

CPC classification number: C30B29/403 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/46 ,  C30B25/02 ,  C30B29/406 ,  Y10T137/479 ,  Y10T137/4807 ,  Y10T137/4824 ,  Y10T137/7504 ,  Y10T137/8376

Abstract: 本发明所公开的实施例一般涉及HVPE腔室。腔室可具有两个不同的前驱物源，两个不同的前驱物源与腔室耦接以便沉积两个不同层。举例而言，镓源与不同的铝源可耦接至处理腔室以便在相同处理腔室中分别地沉积氮化镓与氮化铝于基板上。可在较低温度下在与镓及铝不同的位置处将氮导入处理腔室。不同温度造成气体混合在一起、反应且沉积于基板上，且极少或没有沉积于腔室壁上。