公开(公告)号：CN102224585B

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN200980147107.6

申请日：2009-11-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 高建德 ,  吕新亮 ,  葛振宾 ,  张梅 ,  霍伊曼·雷蒙德·洪 ,  妮琴·英吉

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/67219 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明的实施例一般关于用于处理半导体基板的设备及方法。特别而言，本发明的实施例关于用于形成浅沟槽隔离的设备及方法，所述浅沟槽隔离具有含磨圆底部的凹部。本发明的一个实施例包含：通过从填充的沟槽结构移除一部分材料以及通过磨圆凹部的底部转角而形成填充的沟槽结构中的凹部。磨圆底部转角是通过在基板上沉积与填充于沟槽结构内相同的材料的共形层以及通过从凹部侧壁移除所述材料的共形层而执行的。