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公开(公告)号：CN104668551A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510043602.X
申请日：2015-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , H01L21/60 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种用作热界面材料的双峰分布纳米银膏及其制备方法：采用5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒，按照质量比例为4：1—1：1与超纯水按照一定比例混合，机械搅拌，超声分散，然后离心，去除上层溶液，得到双峰分布纳米银膏。本发明进一步提供5nm—20nm小粒径纳米银颗粒和30nm—150nm的大粒径纳米银颗粒的制备方法。采用本发明中的方法所制备得到的双峰分布纳米银膏具有比单峰分布纳米银膏以及锡铅钎料更高的导热性能和更好的烧结结构稳定性。本发明中的制备方法简单，制备的工艺条件稳定可靠，对环境无污染，易于产业化应用。
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公开(公告)号：CN104117782A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410393141.4
申请日：2014-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
CPC classification number: B23K35/0244 , B23K35/302
Abstract: 本发明提供了一种新颖的Cu@Sn核壳结构金属粉，以及由其制成新型预制片高温钎料，以及所述预制片用于焊盘焊接的应用，从而形成高温焊缝的方法，所述金属粉颗粒尺寸在1μm至40μm之间。所述预制片可以用于多种基板的焊接，在回流过程中，预制片内部的颗粒由于压力作用紧密接触，从而能够形成在金属间化合物中弥散分布铜颗粒的致密焊缝结构，较钎料膏形成的焊缝质量高出很多。该结构能够在250℃作用形成，形成后可以在350℃下服役，达到低温连接高温服役的目的。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前功率器件芯片粘贴成本高，工艺温度高以及工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN103133465A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201310071404.5
申请日：2013-03-06
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种硬质材料在大气环境下实现可控间隙的随模加热及冷却连接的方法和该方法使用的模具，被连接硬质材料包括：陶瓷、玻璃及其他硬质材料。本方法基于已有的机械振动连接方法，如超声波辅助连接，其创新之一：采用特殊的装卡模具，能同时起到以下作用：1）简化连接工艺装置，操作简便；2）装卡被连接材料，确保整个结构的稳定性；3)控制接头连接界面间的间隙；4）提供充足的预压力；5）充当间接热源，为连接接头输入充足的热量；6）减缓冷却速率；7）简便工件被连接后的拆卸。创新之二：采用整体随模加热、冷却的方法。创新之三：与高频振动辅助连接方法有机结合，使之能在大气环境下实现硬质材料的可靠连接。
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公开(公告)号：CN102513720A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110437617.6
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种高性能锡基钎料合金，包括锡基钎料基体和难熔硬质弥散强化相，所述高性能锡基钎料合金还包括重量百分含量为0.01%～2%的掺杂元素，所述掺杂元素为Fe、Ni、Y、Ag、Ti、Zr、Hf、Sb中的一种或几种。本发明的锡基钎料合金通过掺杂相的加入，改善了锡基钎料基体与颗粒增强相之间的界面结合性能，减少颗粒增强相在重熔时的团聚，从而力学性能得到提高。本发明还公开了高性能锡基钎料合金的制备方法。本发明方法将粉末冶金制备过程和超声辅助熔铸过程结合使颗粒增强相高度弥散均匀分布；并克服了单纯采用超声熔铸方法难以加入颗粒增强相的问题，提高了锡基钎料合金的力学性能，而且钎料重熔后其性能基本保持稳定。
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公开(公告)号：CN108456802B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810322515.1
申请日：2018-04-11
Applicant: 深圳市汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种锡铋复合合金及其制备方法，方法包括：合成导电聚合物纳米纤维，并在所述导电聚合物纳米纤维的表面制备金属包覆层；将具有金属包覆层的导电聚合物纳米纤维加入有机溶剂中进行分散，并进行二次掺杂处理；分别制备纳米锡粉末和纳米铋粉末；将所得纳米锡粉末和纳米铋粉末加入有机溶剂中，并进行酸洗处理，然后经纯化处理得到纯净的纳米复合粉末；将所得二次掺杂处理后的导电聚合物纳米纤维、所得纳米复合粉末和助焊剂混合、搅拌，得到均匀的锡铋复合粉末，所述锡铋复合粉末经烧结处理，获得锡铋复合合金。本发明通过上述方法，获得低熔点、高韧性的低温锡铋复合合金材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107680949B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201710804448.2
申请日：2017-09-08
Applicant: 苏州汉尔信电子科技有限公司 , 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L23/488 , H01L21/603 , H01B13/00
Abstract: 本发明提供了低温纳米锡浆料的制备方法及封装方法，制备方法包括S1制备高活性的纳米锡溶胶；S3制备纳米锡浆料；封装方法包括S1在芯片和基板上对称制备图形化的焊盘或过渡金属化层；S2将制备得到的纳米锡浆料附着在焊盘和过渡金属化层表面，对准堆叠形成封装结构；S3对S2中所述封装结构施加压力并进行低温加热，促使纳米锡浆料烧结实现冶金互连。本发明在低温条件下使用低熔点、低成本、高表面活性的纳米锡浆料进行烧结，完成与基板和芯片之间互连，无需添加贵金属镀层增加润湿和结合强度，简化生产工艺，降低封装结构的复杂性和成本，且烧结后接头具有较好导热率和导电性能，适合应用于电子封装领域中低温及热敏感器件的封装互连。
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公开(公告)号：CN107297586B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201710442433.6
申请日：2017-06-13
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院 , 深圳市汉尔信电子科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于面阵列封装用铜基非晶焊球及其制备方法及封装方法，所述用于面阵列封装用铜基非晶焊球为非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末，在面阵列封装过程中，熔融Sn通过扩散反应将非晶球形Cu46Zr42Al7Y5粉末与焊盘连接起来。采用本发明的技术方案，采用铜基Cu46Zr42Al7Y5非晶焊球实现面积阵列封装互连，该材料在互连过程中并不熔化，在连接过程中只通过扩散反应达到连接的目的，焊球高度基本不发生变化，连接过程耗时短，所用焊盘并不需要镀上阻焊层和Au层，完成互连后焊球形状不发生明显变化，提高了抗高温和抗电迁移性能。
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公开(公告)号：CN106952674B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201710104224.0
申请日：2017-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01B1/22
Abstract: 本发明提供了一种可低温烧结布线的厚膜导电浆料及其应用，所述厚膜导电浆料包括的组分及其质量百分比为：银60‑80%，玻璃料5‑15%，有机料10‑20%；其中，所述玻璃料包含的组分为Bi2O3、B2O3、ZnO、SiO2和TiO2。采用本发明的技术方案，本发明技术方案的无铅低熔点厚膜导电浆料，厚膜浆料中不含铅为环境友好型电子浆料，解决了目前大多数电子浆料中含铅的问题。用此厚膜浆料通过丝网印刷的方式在氧化铝陶瓷基板上布线，在600℃即可实现烧结成厚膜电路，烧结过程中无需抽真空或加保护气。相对于传统的直接敷铜法和钼锰法，本发明所采用的厚膜法工艺简单、对设备的要求较低且易于实现自动化生产。
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公开(公告)号：CN108801347A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810577559.9
申请日：2018-06-07
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种透明柔性多功能传感器，包括柔性衬底，所述柔性衬底的两端设有电极，所述柔性衬底、电极上覆盖有柔性覆盖层，所述柔性衬底上设有条状凸台，所述条状凸台的两侧侧壁上涂布有复合功能层，所述复合功能层的两端分别与两个所述电极连接。本发明还提供了一种透明柔性多功能传感器的制备方法。本发明的有益效果是：在柔性衬底上设置条状凸台，在条状凸台的两侧侧壁上涂布形成复合功能层，将复合功能层的两端与对应的两枚电极连接，从而实现了传感器的透明，可对拉伸、挤压、弯曲、扭转和光强变化多种信号进行检测和定量反应，其灵敏度高，性能稳定，尤其具有极高的透过率。
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公开(公告)号：CN104625466B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510030741.9
申请日：2015-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/40
Abstract: 本发明提供了一种可以在低温下快速形成高温焊点的锡基焊料/铜颗粒复合焊料，它是由锡基焊料粉、铜颗粒粉以及助焊膏组成。其中，锡基焊料粉与铜颗粒粉的重量比例在5：2至2：3之间，剩余助焊膏的重量比为4％‑20％，优选锡基焊料粉的粒径尺寸为5μm‑60μm，铜颗粒粉为0.1μm‑10μm。该复合焊料利用锡基焊料低熔点、锡‑铜良好润湿反应特性，可以在低温无压条件下短时间内形成高熔点金属间化合物(IMC)互连焊点，适用于服役过程中产生高温或者在高温条件下服役的电子器件引线互连。本发明工艺简单，成本低廉，实用性强，解决了目前芯片封装材料成本高，焊接时间长，焊接温度高的问题。
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