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公开(公告)号：CN119008395A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411099886.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提出了一种铁电晶体管的栅极退火方法，包括：在衬底上形成N/P阱层、源极和漏极，其中，源极和漏极形成于N/P阱层的两端；在源极区域和漏极区域沉积形成激光反射层；通过原子层沉积工艺，在栅极区域沉积铁电材料，形成铁电层，对铁电层进行表面富氮处理，以在铁电层的表面形成界面氮吸附层；在形成有界面氮吸附层的铁电层上沉积氮化钛作为盖帽层，以保证铁电层的相稳定，通过激光退火处理，诱导铁电层产生铁电相；在盖帽层上沉积导电金属，以形成栅金属叠层。本公开还提出了基于前述栅极退火方法得到的栅极结构以及铁电晶体管。
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公开(公告)号：CN118412326A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410490451.1
申请日：2024-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/8238 , H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件的制备方法和半导体器件。该制备方法包括：对第一基底的第一表面进行氧化和淀积，得到复合介电层。在复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第一金属层。对位于第一顶面上的第一金属层，和位于第二顶面上的第一金属层进行刻蚀，并暴露出复合介电层，得到第一侧墙金属层。在第一侧墙金属层、位于第一顶面上的复合介电层和位于第二顶面上的复合介电层上进行金属薄膜沉积，得到第二金属层。在第二金属层上进行金属薄膜沉积，得到第三金属层。对第三金属层和第二金属层进行光刻刻蚀，得到栅极。以及在与栅极的第二侧面相邻的第一顶面，和与栅极的第三侧面相邻的第二顶面上进行掺杂，分别得到第一源漏区和第二源漏区。
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公开(公告)号：CN119008672A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411099879.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本公开提出了一种铁电晶体管的栅极堆叠结构，包括栅氧层、铁电相种子层、铁电层、隔离层、盖帽层和栅极金属填充层。其中，铁电相种子层为具有纳米铁电微晶的氧化锆，其中，第一铁电相种子层形成于栅氧层之上；铁电层形成于第一铁电相种子层和第二铁电相种子层之间，以依附氧化锆形成规则的铁电相结晶，以使铁电层具有自发极化状态；隔离层形成于铁电层之上，隔离层适用于抑制铁电层中的氧扩散，以缓解铁电层形成界面氧空位；盖帽层形成于隔离层之上，盖帽层适用于稳定铁电层中铁电相结晶的正交相，以增强铁电层的铁电特性。在本公开的另一方面还提出了一种如前述栅极堆叠结构的制备方法，以及具有前述栅极堆叠结构的铁电晶体管。
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公开(公告)号：CN115360230A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202210655638.3
申请日：2022-06-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/51 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请提供了LDMOS器件的制作方法和LDMOS器件，该方法包括：提供基底，基底包括硅衬底、绝缘氧化层、半导体材料层、隔离结构以及硅材料结构，硅衬底具有相邻的第一掺杂区域和第二掺杂区域；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成硅材料层；至少在硅材料层的预定表面上形成HK介质层；在两个隔离结构之间的半导体材料层的裸露表面上形成栅极、源极和漏极。该方法使得关闭状态时漂移区中的大部分电通量流向HK介质层，有助于漂移区耗尽，从而可以增加漂移区的掺杂浓度，在开启状态减小器件的导通电阻，进而解决了现有技术为了得到大的击穿电压，延长漂移区导致器件性能变差的问题。
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