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公开(公告)号：CN119426260A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411569025.3
申请日：2024-11-05
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本申请提供载板表面有机胶残留清洗方法，该方法包括以下步骤：采用载板表面清洁度在线监测装置实时采集清洗过程中的表面清洁度数据，通过算法实时分析清洁度变化趋势，动态调整所述浸泡、震荡和冲洗处理参数和循环路径，自适应优化清洗方案，并预测清洗终点；在所述水槽中部署胶粒团聚程度分析仪，实时监测胶粒的团聚状态数据，通过算法模型分析团聚状态与水质参数的关联性，动态调节超纯水的pH值和离子强度，优化水质环境，抑制胶粒再沉积。
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公开(公告)号：CN117810063B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311870951.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及清洗方法领域的一种衬底晶片的清洗方法，包括以下步骤：第一步、SPM溶液清洗，晶片放入SPM槽体中进行浸泡；第二步、HF溶液清洗，晶片放入DHF槽体内浸泡；第三步、SC2溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第四步、SC1溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第五步、干燥晶片，晶片在IPA槽体内蒸气干燥，使用180℃的热氮烘干，离子风吹气，有效减少SC2制程中颗粒的交叉污染，前三步的清洗所使用的SPM溶液、HF溶液和SC2溶液均为酸性药液，第四步的所使用的SC1溶液为碱性药液，有效避免酸碱交叉中和反应，有效去除晶片表面的颗粒物、有机污染物以及金属离子。
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公开(公告)号：CN112014711B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202011005550.4
申请日：2020-09-22
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Inventor： 江永
Abstract: 本发明公开了一种晶圆探针台，包括一结构主体，所述结构主体包括测试箱及设于所述测试箱内的晶圆检测装置；所述晶圆检测装置包括检测台，所述检测台上设有滑轨组，所述滑轨组上设有晶圆承载台，所述晶圆承载台一侧设有探针卡影像装置，所述检测台上还设有探针卡承载台，所述探针卡承载台位于所述晶圆承载台上方，所述探针卡承载台前方设有晶圆影像装置；通过晶圆影像装置、探针影像装置及滑轨组的组合作用，实现晶圆承载台及探卡承载台的精准移动，使得探针卡上的探针能够与每颗晶圆对准接触，实现对每颗晶圆的精准测试，有利于精装区分符合参数的晶圆与不符合参数的晶圆。
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公开(公告)号：CN117928176A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410116658.2
申请日：2024-01-26
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及干燥方法领域的一种碳化硅衬底的干燥方法，该干燥方法包括以下步骤：第一步，准备干燥装置，第二步，花篮校正，第三步，顶起碳化硅衬底，第四步，超纯水溢流，第五步，慢拉干燥，第六步，干燥花篮，第七步，除静电，第八步，移除花篮。采用慢拉干燥的方式进行干燥，利用凝结在碳化硅衬底表面的IPA蒸汽来减小剩余液体的表面张力，以使得剩余液体从碳化硅衬底表面脱落，在干燥过程中，能够在饱和度较高的状态实现较好的碳化硅衬底的干燥效果，解决水印残留问题，与现有的干燥技术相比，本发明的方法具有干燥效率高、干燥速度快、有效消除水印的优点，可适用于先进制程、精细工艺的半导体晶圆、碳化硅衬底的干燥。
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公开(公告)号：CN117810063A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311870951.X
申请日：2023-12-29
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及清洗方法领域的一种衬底晶片的清洗方法，包括以下步骤：第一步、SPM溶液清洗，晶片放入SPM槽体中进行浸泡；第二步、HF溶液清洗，晶片放入DHF槽体内浸泡；第三步、SC2溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第四步、SC1溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第五步、干燥晶片，晶片在IPA槽体内蒸气干燥，使用180℃的热氮烘干，离子风吹气，有效减少SC2制程中颗粒的交叉污染，前三步的清洗所使用的SPM溶液、HF溶液和SC2溶液均为酸性药液，第四步的所使用的SC1溶液为碱性药液，有效避免酸碱交叉中和反应，有效去除晶片表面的颗粒物、有机污染物以及金属离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119885961A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411991571.6
申请日：2024-12-31
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
IPC: G06F30/28 , G06Q50/04 , G06F113/08 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了信息技术领域的晶圆清洗冷却系统的优化方法与优化系统，包括：根据数值模拟结果，制作不同风扇叶片结构和制冷剂喷嘴样件，搭建制冷系统性能测试平台，采用高速热电偶阵列和红外热成像仪，测试不同晶圆加工工艺温度下的晶圆表面温度分布特性，验证优化设计的晶圆冷却均匀性控制效果，对数值模型进行修正与完善；综合数值仿真与实验测试结果，建立风扇结构参数和制冷剂流量与晶圆温度均匀性、制冷系统能效之间的定量关联模型，形成晶圆冷却系统设计选型的快速评估工具，针对不同晶圆材料属性和加工温度需求，制定风扇布局方案和制冷剂温度流量调控策略。
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公开(公告)号：CN119864289A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510039400.1
申请日：2025-01-10
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及信息技术领域，具体涉及半导体晶圆清洗技术的一种晶圆清洗设备多腔体药液智能循环控制方法，包括：将计算得到的优化参数发送至对应清洗腔体的控制单元，调整该腔体循环泵的实际工作流量和过滤装置的实际工作状态，对该腔体的药液循环使用过程进行动态优化，使药液质量恢复至工艺要求范围内；针对不同晶圆产品的清洗工艺要求，预先建立各清洗腔体的药液质量参数阈值范围，在晶圆清洗设备切换产品型号时，根据产品型号自动匹配各腔体对应的药液质量控制阈值，实现分腔体药液循环模式和参数的动态调整。
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公开(公告)号：CN119852211A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510039398.8
申请日：2025-01-10
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/66 , H01L21/677 , B08B3/02 , B08B13/00
Abstract: 本发明涉及信息技术领域，具体涉及半导体晶圆清洗技术的一种晶圆清洗输送过程的智能控制方法，包括：在晶圆输送过程中，采用陀螺仪传感器实时检测输送装置的震动和位移信号，将采集到的信号输入到预先训练的支持向量机模型中进行分类，判断当前震动和位移是否超出预设阈值，该支持向量机模型使用历史数据训练得到，能够准确区分正常和异常的震动位移状态；当检测到超出阈值的震动或位移时，触发伺服电机进行补偿控制，通过调整输送速度和加速度参数，抑制震动和位移，确保晶圆稳定输送至旋转清洗装置，补偿控制算法根据震动和位移的幅度动态调整控制参数，实现快速响应和精确补偿。
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公开(公告)号：CN119187135A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411569028.7
申请日：2024-11-05
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及清洗排气领域的用于清洗设备对接强排风道系统的排气方法，通过在排风管道入口、中段和出口位置布置风压传感器，以每秒1次的采集频率获取实时风压数据，能够精确、全面地监测风压变化，为后续的风量调控提供准确依据，从而有效解决了因风压监测不准确导致的风量控制不当问题，保证了清洗设备排风效果的稳定性，当排风电机频率调控过程中，若强排风道系统的风压在1秒内变化幅度超过0.8千帕，控制单元能够及时关闭排风电机，并在风压恢复正常后重新启动，同时记录恢复后的运行参数，这一措施有效地避免了因风压剧烈波动导致的抽取风量失控，增强了系统的容错能力和稳定性，进一步提升了清洗效果，保障了清洗设备的长期稳定运行。
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公开(公告)号：CN116936410B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202310886043.3
申请日：2023-07-18
Applicant: 广东凯迪微智能装备有限公司
Abstract: 本发明涉及晶圆清洗机领域的半自动晶圆清洗机及晶圆清洗方法，包括机架和设置于机架的电控箱及人机交互界面，清洗区内设置有清洗机构，清洗机构包括清洗腔体、主轴组件、毛刷摆臂、N2摆臂和二流体摆臂，机架的后端设有与清洗腔体的内部导通的排风管，排风管连接有水汽分离机构，水汽分离机构包括强排风机和水汽分离箱。整个清洗过程通过自动化控制来完成，依次进行多项清洗步骤，确保晶圆被清洗干净，且各喷头清洗有序，清洗完成后先由主轴电机带动主轴转盘和晶圆高速转动，快速甩干晶圆表面的积水；设置的水汽分离箱用于将清洗腔体内部的废气污水进行分离处理，保证进入厂务端的气体含水量极少，确保清洗过程产生的水汽能完善处理。
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