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公开(公告)号：CN1184378A
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：CN97119677.X
申请日：1997-09-26
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6483 , H03H9/0042 , H03H9/02559 , H03H9/6436 , H03H9/6469 , H03H2250/00
Abstract: 声表面波器件包括LiTaO3单晶的压电衬底,具有x、y和z轴及切面。x轴定在声表面波的传播方向上。使晶体切面绕x轴从y轴到z轴旋转一个在40°和42°之间的转角。在衬底的传播方向上形成一对反射栅,一排叉指式换能器介于反射栅之间,具有相对的主电极指和副电极指对,在传播方向上至少有成一排的前、中和后换能器。前和后换能器中的一个换能器内电极指对的数量与中间换能器内电极指对的数量之比是在55%和80%的范围内。
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公开(公告)号：CN1913348B
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200610115410.6
申请日：2006-08-08
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
IPC: H03H9/54
Abstract: 分波器和梯形滤波器。本发明的课题是，提供可实现低损失化、高衰减量化以及小型化的分波器和梯形滤波器。作为解决手段，本发明的分波器和梯形滤波器，其特征在于，具有：天线端子(Ant)；以及与天线端子连接的第一滤波器(10)和第二滤波器(20)，第一滤波器(10)和第二滤波器(20)的至少一方是梯形滤波器，该梯形滤波器具有并联谐振器和多个串联谐振器，在多个串联谐振器之中的部分串联谐振器(S1)上并联连接电感器(L1)，在最靠近天线端子侧的串联谐振器(S1)上并联连接电感器(L1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101291156A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810092511.5
申请日：2008-04-18
Applicant: 富士通株式会社 , 富士通媒体部品株式会社
CPC classification number: H03H9/725 , H03H9/0576
Abstract: 本发明提供了一种天线分离器，其能够以比以前更小的尺寸和更低的高度来构造而不会损害带外衰减特性及发射端子与接收端子之间的隔离特性。天线分离器包括设置在天线端子与发射端子之间的发射滤波器和设置在天线端子与接收端子之间的接收滤波器。滤波器由封装密封，其中用于接收滤波器的接地图案与其它接地图案分开。
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公开(公告)号：CN101170303A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710167454.8
申请日：2007-10-25
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及压电薄膜谐振器和使用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括：由基板支撑的下部电极，在该下部电极的下方限定有一空间；设置在下部电极和基板上的压电膜；以及上部电极，该上部电极设置在压电膜上以形成谐振部分，在该谐振部分中，上部电极隔着压电膜与下部电极面对。下部电极和上部电极中的至少一个具有互连部分，该互连部分用于从谐振部分提取信号并位于该空间的上方。下部电极和上部电极中的所述至少一个在其中下部电极和上部电极中的所述至少一个与压电膜接触的区域中具有第一质量每单位面积，并且在谐振部分中具有第二质量每单位面积，该第一质量每单位面积小于该第二质量每单位面积。
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公开(公告)号：CN101136620A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710147242.3
申请日：2007-08-31
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种声波器件、滤波器和双工器。该声波器件包括：第一谐振器，其具有沿晶轴取向方向或极轴方向夹在一对电极之间的压电材料；以及第二谐振器，其具有夹在另一对电极之间的另一压电材料，并且与所述第一谐振器串联连接成：使得所述另一对电极中的位于沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极与所述第一谐振器的所述一对电极中的沿所述晶轴取向方向或极轴方向的电极处于相等的电势。
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公开(公告)号：CN101064499A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710107742.4
申请日：2007-04-28
Applicant: 富士通媒体部品株式会社 , 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供了一种压电薄膜谐振器和采用该压电薄膜谐振器的滤波器。该压电薄膜谐振器包括基板、设在所述基板上的下部电极、设在所述下部电极上的压电膜以及上部电极，该上部电极设在所述压电膜上，从而具有隔着所述压电膜与所述下部电极交叠的部分。所述压电膜的外端的至少一部分比其中所述上部电极和所述下部隔着所述压电膜彼此交叠的相对区域的外端更靠内。
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公开(公告)号：CN1140964C
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN96116720.3
申请日：1996-12-27
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H03H9/6469 , H03H9/0038 , H03H9/0042 , H03H9/0061 , H03H9/1071 , H03H9/25 , H03H9/6436 , H03H9/6459 , H03H9/6466 , H03H9/6489
Abstract: 声表面波(SAW)装置，它包括形成在共同的压电基片(1)上且相互级联的至少第一与第二SAW元件(11，21)，此第一与第二SAW元件中的每一个包括多个叉指式电极(11A-11C；21A-21C)，它们各有多个电极指在此压电基片上对应于SAW的路径相互重叠，其中这些电极指的重叠宽度(W1，W2)在第一与第二SAW元件之间改变。
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