公开(公告)号：CN101046981A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610153409.2

申请日：2006-09-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 安东尼·阿扬 ,  杉本利夫 ,  栗田亮

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/716

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325

Abstract: 公开了一种垂直磁记录介质，其包括衬底和形成于该衬底上的记录层，该记录层具有基本垂直于该衬底表面的易磁化轴、并且包括三个或三个以上包含具有hcp结构的Co合金的磁层。该记录层中所包括的所述磁层中的两个磁层形成反铁磁性交换耦合结构。所述两个磁层为通过位于它们之间的非磁性耦合层而反铁磁性地交换耦合。所述两个磁层的磁化在剩磁状态下彼此反向平行。

公开(公告)号：CN101046980A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610107996.1

申请日：2006-08-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 安东尼·阿扬 ,  杉本利夫

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/667 ,  G11B5/70

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/66 ,  G11B5/855

Abstract: 本发明公开一种垂直磁记录介质，其能够防止发生广域磁道擦除现象并能够进行高密度记录。该垂直磁记录介质包括：衬底；软磁衬层，位于该衬底上；分离层，位于该软磁衬层上，并由非磁性材料形成；磁通控制层，位于该分离层上；以及记录层，位于该磁通控制层上，并具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。该磁通控制层由多晶铁磁材料形成，该多晶铁磁材料具有垂直于该衬底表面的易磁化轴。

公开(公告)号：CN1620686A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02828078.4

申请日：2002-09-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 安东尼·阿扬 ,  猪又明大 ,  E·诺埃尔·阿巴拉 ,  B·拉马穆尔蒂·阿查里雅

IPC: G11B5/64 ,  G11B5/66 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012

CPC classification number: G11B5/732 ,  G11B5/012 ,  G11B5/656 ,  G11B5/66 ,  G11B5/7325 ,  Y10T428/265

Abstract: 磁记录介质和磁存储装置。一种磁记录介质，其包括：基板、由Co合金或CoCr合金制成的磁记录层、设置在基板和磁记录层之间的晶种层、以及由具有B2结构的二元合金材料制成并设置在晶种层和磁记录层之间的底层。该晶种层由下述材料制成，该材料主要包括构成底层的二元合金材料的多种元素中的一种元素。