公开(公告)号：CN101192815B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200710194629.4

申请日：2007-11-27

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 相川俊一 ,  郡池圣 ,  木村丈儿 ,  津田庆二 ,  北岛正幸 ,  井上和则 ,  松田隆志

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/10 ,  H03H9/12 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H3/08 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T29/4908

Abstract: 本发明提供了声波器件及其制造方法。该声波器件的制造方法包括以下步骤：在其上具有声波元件的基板上形成第一密封部，从而使得所述声波元件的发生声波振荡的功能区域用作第一非覆盖部，并且使得用于进行个体化的切断区域用作第二非覆盖部；在所述第一密封部上形成第二密封部，从而覆盖所述第一非覆盖部和所述第二非覆盖部；以及切断所述基板和所述第二密封部，从而分开所述第二非覆盖部。

公开(公告)号：CN101192815A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200710194629.4

申请日：2007-11-27

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 相川俊一 ,  郡池圣 ,  木村丈儿 ,  津田庆三 ,  北岛正幸 ,  井上和则 ,  松田隆志

IPC: H03H3/08 ,  H03H9/10 ,  H03H9/12 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H3/08 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/49005 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T29/4908

Abstract: 本发明提供了声波器件及其制造方法。该声波器件的制造方法包括以下步骤：在其上具有声波元件的基板上形成第一密封部，从而使得所述声波元件的发生声波振荡的功能区域用作第一非覆盖部，并且使得用于进行个体化的切断区域用作第二非覆盖部；在所述第一密封部上形成第二密封部，从而覆盖所述第一非覆盖部和所述第二非覆盖部；以及切断所述基板和所述第二密封部，从而分开所述第二非覆盖部。

公开(公告)号：CN1665131A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510051298.X

申请日：2005-03-03

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 三浦道雄 ,  上田政则 ,  相川俊一 ,  上村亨 ,  和田一久 ,  三岛直之

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02559 ,  H01L41/312 ,  H03H9/02574

Abstract: 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件。接合基板包括钽酸锂基板及与钽酸锂基板相接合的蓝宝石基板，钽酸锂基板和蓝宝石基板的接合界面包括厚度为0.3nm到2.5nm、处于非晶态的接合区域。处于非晶态的接合区域是通过利用惰性气体或氧的中性化原子束、离子束或者等离子体在接合界面中激活钽酸锂基板和蓝宝石基板中的至少一方来形成的。可以无需高温热处理而将压电基板与具有不同晶格常数的支撑基板相接合，并且可以实现具有优良接合强度和更小翘曲的接合基板。