公开(公告)号：CN116964514A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202280019191.9

申请日：2022-01-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明提供一种光学调制元件、光快门及光调制方法，所述光学调制元件具有：基板(11)；电极层(12)，设置于基板(11)上；介电层(13)，设置于电极层(12)上；及光吸收层(14)，设置于介电层(13)上且包含无机纳米粒子，并且无机纳米粒子通过光照射而显示局域表面等离激元共振，所述光快门包括光学调制元件，所述光调制方法为如下方法：使施加到光学调制元件的光吸收层上的电压发生变化而对入射到光学调制元件上的光的反射光或透射光进行动态调制。

公开(公告)号：CN103733345B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置、图像传感器、X射线传感器以及X射线数字摄影装置，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>O，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN105706243A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201480060668.3

申请日：2014-11-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14658 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。

公开(公告)号：CN103733345A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038731.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/3234 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/10 ,  H05B33/26

Abstract: 一种薄膜晶体管，晶体管具有：栅极电极；与栅极电极相接触的栅极绝缘膜；氧化物半导体层，包含第1区域和第2区域，且经由栅极绝缘膜而与栅极电极对向配置，第1区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(0 0，0 0)表示，第2区域以In(p)Ga(q)Zn(r)O(s)(q/(p+q)>0.250，p>0，q>0，r>0，s>0)表示，且与第1区域相比位于相对于栅极电极较远的位置；源极电极和漏极电极，彼此分离配置，经由氧化物半导体层可以导通。

公开(公告)号：CN103688364A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法，其使照射光时的TFT特性稳定化。所述场效晶体管的制造方法包括：第一步骤，在配置于栅极(14)上的栅极绝缘层(16)上，使第一氧化物半导体膜(24)成膜；第二步骤，使第二氧化物半导体膜(26)成膜，第二氧化物半导体膜(26)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第三步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；第四步骤，使第三氧化物半导体膜(28)成膜，第三氧化物半导体膜(28)的阳离子组成与第一氧化物半导体膜(24)的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜(24)低的导电率；第五步骤，在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及电极形成步骤，在第三氧化物半导体膜(28)上形成源极(20)及漏极(22)。