公开(公告)号：CN101074486B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710092363.2

申请日：2007-02-28

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 富田忠文 ,  铃木信也

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25F5/00

CPC classification number: C25D11/00 ,  B81B2201/0214 ,  B81C99/008 ,  C25D11/20 ,  C25D11/24

Abstract: 提供一种在铬酸等的环境中不使用非优选物质，在短时间内，能够得到具有规律排列的凹坑的纳米结构体的制造方法。该纳米结构体的制造方法包括：通过将具有铝基板和在上述铝基板表面上存在的阳极氧化被膜的铝部件作为阴极实施电解来使上述阳极氧化被膜和上述铝基板剥离，得到由阳极氧化被膜构成的结构体的剥离工序；其中，在上述剥离工序中，按照使电流流过上述阳极氧化被膜的表面的方式实施上述电解。

公开(公告)号：CN108136728A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680061324.3

申请日：2016-10-03

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 加藤进也 ,  铃木信也

IPC: B32B9/00 ,  C23C14/10 ,  C23C16/42

Abstract: 本发明提供一种在高温高湿环境下也具有高阻隔性的阻气膜及其制造方法。阻气膜依次包括膜基材、二氧化硅层及与所述二氧化硅层直接接触的无机层，上述二氧化硅层含有在硅原子和氧原子之间至少含有共价键的二氧化硅高分子及分子量为200以上且沸点为230℃以上的胺。一种阻气膜的制造方法，其包括：将含有硅化合物及分子量为200以上且沸点为230℃以上的胺的涂布液涂布到膜基材上，以形成含有硅化合物的涂层；用真空紫外线照射含有上述硅化合物的涂层，以形成含有在硅原子与氧原子之间至少具有共价键的二氧化硅高分子的二氧化硅层；及通过蒸镀法或溅射法在上述二氧化硅层的表面上形成无机层。

公开(公告)号：CN102754218B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180008733.4

申请日：2011-02-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  祐谷重德 ,  向井厚史 ,  铃木信也 ,  宫下阳太

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  H01L31/03926 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/12479

Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。