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公开(公告)号：CN101641795B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200880009872.7
申请日：2008-04-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L27/32 , H05B33/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/322 , H01L27/3262 , H01L2251/5338 , H05B33/12
Abstract: 本发明公开一种有机电致发光显示装置，其至少包括驱动TFT和由有机电致发光元件形成并设置在该TFT的基板上的像素。该驱动TFT至少包括基板、栅电极、栅绝缘膜、有源层、源电极和漏电极。该驱动TFT还包括在所述有源层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个之间的电阻层。所述像素包括至少一个颜色改变的像素，其具有改变该颜色改变的像素的发光色的滤色器，并发出改变颜色的光。
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公开(公告)号：CN103608906A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029028.7
申请日：2012-06-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L22/10 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤：前处理步骤，对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜，在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化，而获得第二氧化物前驱物膜，所述第二氧化物前驱物膜在以傅立叶变换型红外光谱法进行测定时所获得的红外线吸收光谱中，将红外线的波数1380cm-1以上、1520cm-1以下的范围分割为红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围与红外线的波数超过1450cm-1且1520cm-1以下的范围时，位于红外线的波数1380cm-1以上、1450cm-1以下的范围内的峰值在红外线的波数1350cm-1以上、1750cm-1以下的范围内的红外线吸收光谱中显示最大值；以及后处理步骤，将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除，使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN102403361A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110265137.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
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公开(公告)号：CN101931009A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010209348.3
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN101930805A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010209336.0
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01B1/08 , H01B13/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , C01G15/006 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C30B29/22 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp（-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102403361B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110265137.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
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公开(公告)号：CN101930805B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201010209336.0
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01B1/08 , H01B13/00
CPC classification number: H01L29/7869 , C01G15/006 , C01P2002/34 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C30B29/22 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664
Abstract: 本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成。
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公开(公告)号：CN101931009B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010209348.3
申请日：2010-06-21
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02667 , H01L21/02675 , H01L29/24 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开薄膜晶体管和制备薄膜晶体管的方法。本发明提供一种包含活性层的薄膜晶体管，所述活性层包含IGZO基氧化物材料，所述IGZO基氧化物材料由组成式In2-xGaxZnO4-δ表示，其中0.75＜x＜1.10并且0＜δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153，并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe2O4的晶体结构的IGZO的单相形成，以及提供一种制备所述薄膜晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN102082170A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010255843.8
申请日：2010-08-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L2251/5338
Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。
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公开(公告)号：CN101641795A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009872.7
申请日：2008-04-03
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L27/32 , H05B33/12
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/322 , H01L27/3262 , H01L2251/5338 , H05B33/12
Abstract: 本发明公开一种有机电致发光显示装置，其至少包括驱动TFT和由有机电致发光元件形成并设置在该TFT的基板上的像素。该驱动TFT至少包括基板、栅电极、栅绝缘膜、有源层、源电极和漏电极。该驱动TFT还包括在所述有源层与所述源电极和所述漏电极中的至少一个之间的电阻层。所述像素包括至少一个颜色改变的像素，其具有改变该颜色改变的像素的发光色的滤色器，并发出改变颜色的光。
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