公开(公告)号：CN104303312A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380022008.1

申请日：2013-03-14

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田中敦之 ,  岩室宪幸 ,  原田信介

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/046 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供一种即使在施加高电压时也不会产生栅极氧化膜击穿和可靠性变差、且能够具有低通态电阻的立式SiC-MOSFET和IGBT以及它们的制造方法。在立式MOSFET中，代替阱区(6)，而将半导体层(3)和基极层(4)键合，以作为键合部而包含距相对置的全部的源极区域的中心最远且等距离、并且距源极区域的与中心最远离的端部最近且等距离的点。

公开(公告)号：CN104303311A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201380018019.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 岩室宪幸 ,  原田信介 ,  星保幸 ,  原田祐一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L21/046 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/78

Abstract: 碳化硅纵型MOSFET具有：第1导电型的N反转层(6)，在第2半导体层基底层以外的表面层上所形成，该第2半导体层基底层在形成于基板的表面上的低浓度层上选择性地形成；栅电极层，被第1导电型的源极区域和第1导电型的N反转层(6)夹持，第2导电型的第3半导体层的表面露出部上的至少一部分，隔着栅极绝缘膜而形成；和源电极，在源极区域与第3半导体层的表面上共同接触，在N反转层(6)下的区域结合第2导电型半导体层的一部分。由此，利用将SiC等作为半导体材料的纵型SiC-MOSFET的低导通电阻，并且即使在施加高电压时也能防止形成栅电极的氧化膜的击穿，并能够提高可靠性。