半导体装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110739941A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910455385.3

    申请日:2019-05-29

    Inventor: 佐佐木雅浩

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置,能够在过渡时,没有短路电流的检测延迟,并抑制向感测IGBT的电流集中。IGBT(10)在主IGBT(11)的栅极端子和发射极端子设置将分压电阻器(Rdiv1、Rdiv2)串联连接而构成的分压电路,将两个分压电阻器的连接点连接到感测IGBT(12)的栅极端子。分压电路对施加到主IGBT的栅极端子的电压进行分压以使得在施加到主IGBT的栅极端子的电压与主IGBT的阈值电压相等时,成为感测IGBT的阈值电压。如果IGBT(10)的栅极端子(G)被施加使其导通的栅极信号,则主IGBT和感测IGBT的电流同时上升,由此没有短路电流的检测延迟,向感测IGBT的电流集中受到抑制。

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