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公开(公告)号：CN111641105A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010126964.6
申请日：2020-02-28
Applicant: 富士施乐株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
Abstract: 半导体光放大元件及放大器、光输出装置及距离计测装置。半导体光放大元件具有：光源部，其形成在基板上；以及光放大部，其具有从所述光源部沿着所述基板的基板表面向预定的方向延伸而形成的导电区域以及在所述导电区域的周围形成的非导电区域，对从所述光源部向所述预定的方向进行慢光传播的传播光进行放大，并向与所述基板表面交叉的射出方向射出放大后的所述传播光。所述传播光的最大光输出大于垂直振荡模式的最大光输出。
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公开(公告)号：CN110620332A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910500496.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体光放大器、光输出装置以及距离测量装置。在使用分布式布拉格反射镜波导的半导体光放大器中，与不具有反射部的情况相比，增大预先规定的方向的光输出。半导体光放大器包含：光源部，所述光源部形成在基板上；以及光放大部，所述光放大部包括从光源部沿着基板的基板面朝向预先规定的方向延伸而形成的导电区域以及形成在导电区域的周围的非导电区域，所述光放大部对从光源部向预先规定的方向传播的传播光进行放大，并将放大后的传播光向与基板面交叉的射出方向射出，导电区域具有在从与所述基板面垂直的方向观察时将传播光向与预先规定的方向交叉的方向反射的反射部。
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公开(公告)号：CN106505410A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106505409A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610805765.1
申请日：2016-09-06
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造光学半导体元件的方法，该方法包括：第一步骤，在该第一步骤中，形成在半绝缘基板上形成的半导体层的圆柱结构；第二步骤，在该第二步骤中，在所述圆柱结构的外周暴露所述基板；第三步骤，在该第三步骤中，预处理包括所述第一接触层及所述基板的暴露表面的区域；第四步骤，在该第四步骤中，在所述第一接触层的所述暴露表面上形成第一电极；第五步骤，在该第五步骤中，在包括所述圆柱结构的侧面并且包括所述暴露表面的区域中形成中间层绝缘膜；第六步骤，在该第六步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第一电极配线；以及第七步骤，在该第七步骤中，在所述中间层绝缘膜上形成第二电极配线。
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公开(公告)号：CN112688167A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011580811.5
申请日：2017-11-08
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/183 , H01S5/042 , H01S5/068 , H01S5/0683 , H01S5/42 , H01S5/02345
Abstract: 发光元件阵列。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。
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公开(公告)号：CN106505410B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201610791440.2
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法，该垂直腔面发射激光器阵列包括：形成在基板上的接触层；形成在所述接触层上的台面结构，每个台面结构包括第一导电型的第一半导体多层反射镜、在所述第一半导体多层反射镜上的有源区、以及在所述有源区上的第二导电型的第二半导体多层反射镜；形成在所述台面结构周围的接触层上的第一金属层，所述第一金属层的一部分作为第一导电型的电极焊盘；形成在所述第一金属层上的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上的第二金属层，所述第二金属层的一部分作为第二导电型的电极焊盘。所述台面结构并联电连接。
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公开(公告)号：CN105914581B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510648476.0
申请日：2015-10-09
Applicant: 富士施乐株式会社
Abstract: 本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
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公开(公告)号：CN107785777A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710432803.8
申请日：2017-06-09
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01S5/40
CPC classification number: G03G15/04072 , H01S5/005 , H01S5/026 , H01S5/125 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/34353 , H01S5/423 , H01S5/50 , H01S2301/18 , H01S5/4025
Abstract: 发光元件阵列、光器件和图像形成设备。一种发光元件阵列，包括：多个半导体堆叠结构，各半导体堆叠结构包括发光单元，该发光单元形成在基板上，以及光放大单元，该光放大单元沿着基板的基板表面从发光单元延伸，使得沿延伸方向的长度长于发光单元的长度，将从发光单元沿延伸方向传播的光放大，并且从沿着延伸方向形成的发光部发出经放大的光，其中，多个半导体堆叠结构被排列成使得各个光放大单元的延伸方向基本彼此平行。
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