公开(公告)号：CN116281888A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310147154.2

申请日：2023-02-15

Applicant: 安徽大学

Inventor： 高阳 ,  王守国 ,  叶坤 ,  周文达 ,  田尚杰 ,  杨蒙蒙 ,  阚绪材 ,  臧一鹏 ,  陈学刚

IPC: C01B19/04 ,  C23C16/44 ,  C23C16/30 ,  C23C16/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种Cu7Te4纳米片的制备方法及其应用。所述制备方法包括：碲源和铜源通过化学气相沉积，在衬底上制备得到所述Cu7Te4纳米片。本发明提供一种通过化学气相沉积的过程，外延生长二维Cu7Te4纳米片，利用化学气相沉积的方法实现了二维Cu7Te4纳米片的生长。可以与传统的二维半导体形成具有理想的金属‑半导体界面，有望解决基于二维材料在电子，光电子器件和自旋电子器件中的接触问题。