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公开(公告)号：CN114156245A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111368463.X
申请日：2021-11-18
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种散热盖及其用途，所述散热盖罩扣于芯片上方，所述散热盖内部顶面为锯齿面，且靠近芯片一侧的锯齿面形状为尖型，另一侧形状为非尖型，所述锯齿面、第一界面导热介质和芯片依次贴合。在本发明中，通过将散热盖内部顶面设置为锯齿面，控制芯片和散热盖之间预留空隙的大小，能够将液态的第一界面导热介质封装在芯片和锯齿面之间，避免了第一界面导热介质从芯片和锯齿面之间流出，有效地解决第一界面导热介质呈液态时的溢出问题，减少了由于第一界面导热介质流出产生的界面空洞，保证了芯片的最佳散热效果。
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公开(公告)号：CN117976549A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410149223.8
申请日：2024-02-02
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种散热盖体的制备方法、芯片的封装方法及其设备，该散热盖体内贴合至少一个导热铟片，方法包括：制备散热盖体的步骤，散热盖体包括一表面部，以及围设在表面部周围的四周部，表面部与四周部形成一容置空间；运送并贴合导热铟片的步骤，通过至少一个拾取单元拾取导热铟片，并将导热铟片分别运送并放置至容置空间内，使得导热铟片与散热盖体的表面部直接接触；随后，通过拾取单元施加第一作用，使得导热铟片贴合至散热盖体的表面部。本发明将施加导热铟片工艺集成至其他工艺腔室中，不仅降低额外增加施加导热铟片的设备成本并简化步骤，更可以降低导热铟片在不同腔室转移过程中的不利影响。
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公开(公告)号：CN116435267A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310374611.1
申请日：2023-04-10
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，该封装结构包括固定在电路板上的多个半导体器件，半导体器件中至少两个具有不同的高度；散热金属层，具有接触半导体器件的部分；散热金属层还具有连接部，连接部对应于半导体器件之间的间隔处设置；散热金属层中接触半导体器件的部分具有相同的厚度，且散热金属层中接触半导体器件的部分与连接部连续设置；连接部包括具有高低落差的第一台阶结构，第一台阶结构对应于半导体器件的不同高度设置。本发明保持接触半导体器件的散热金属层具有一致的厚度，而通过设置具有高低落差的台阶结构，来匹配不同高度的半导体器件，保证不同高度半导体器件可以获得均匀有效的散热效果，提高整个封装结构的可靠性。
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公开(公告)号：CN116387245A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310374593.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，该封装结构包括芯片，以及覆盖在芯片上的散热盖体，散热盖体与芯片直接相对的内表面预置有图案化的铟层，铟层表面设有保护层，保护层的挥发温度低于铟层的熔点。本发明散热盖体包含表面设有保护层的图案化铟层，而不必设置助焊剂，避免了在铟层形成的TIM界面时因铟泵出而产生的空洞，使得预置有铟层的散热盖体施加在芯片上的散热效果和可靠性极大提高。
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公开(公告)号：CN114408259A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210129558.4
申请日：2022-02-11
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种承载电子元器件的载带、封装系统装置及封装方法，所述的承载电子元器件的载带包括载带本体，所述的载带本体表面设置至少一个封装口袋，所述的封装口袋突出所述载带本体的表面，所述的封装口袋包括底部与侧部，所述的侧部与底部围设成用于容纳电子元器件的敞口式的腔体，所述的侧部与底部之间设置连接斜面进行连接，所述连接斜面沿所述侧部向底部表面渐缩，所述底部的表面开设有贯通所述底部的中心槽。本发明能够避免电子元器件的刮伤，具有较高的安全性、稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN119381360A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411993047.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供一种集成散热器、集成散热器的制备方法和芯片封装结构。本申请提供的集成散热器，包括散热盖和沿所述散热盖周向向下延伸的围绕部；其中，所述围绕部朝向基底的一面具有宏观锚定结构；当所述围绕部通过密封胶粘接到基底上时，所述密封胶流入或包裹所述宏观锚定结构，且所述密封胶在固化后能够机械地卡住或钩住所述宏观锚定结构，使固化后的密封胶与所述围绕部形成机械互锁结构，以通过所述机械互锁结构稳固的将所述集成散热器与所述基底固定在一起。本申请提供的集成散热器，可以提高散热器与基底之间的结合强度，降低散热器分层或分离的风险。
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公开(公告)号：CN116442603A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310413693.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
IPC: B32B15/01 , G06F1/20 , G06F1/16 , B21D33/00 , B21B1/40 , B32B15/04 , B32B33/00 , B32B7/02 , B32B7/10
Abstract: 本发明提供了界面导热材料的制备方法、界面导热材料、装置及其应用，所述制备方法包括：(Ⅰ)提供导热基底；(Ⅱ)采用相变金属材料在导热基底的两侧表面分别形成第一相变层与第二相变层，并进行一段回流，使得导热基底分别与第一相变层与第二相变层相互连接得到复合层，所述导热基底的熔点分别高于所述第一相变层与第二相变层的熔点；(Ⅲ)将所述复合层进行二段回流，所述第一相变层、导热基底与第二相变层相互扩散，形成一体成型的高熔点中间层。本发明在使用过程中，导热基底与相变层之间会相互扩散，形成一个新的中间层，降低了材料泄露的风险。
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公开(公告)号：CN116387252A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310374617.9
申请日：2023-04-10
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/427 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种半导体散热结构、散热盖体、封装结构及其制备方法，该半导体散热结构与半导体器件接触，包括散热基体，散热基体的底面接触半导体器件；散热基体内包含至少一个中空腔体；至少在散热基体底面的内表面设置纳米颗粒层，纳米颗粒层附着并填充相变散热液，相变散热液在中空腔体内进行液相‑气相的反复转换。本发明提供的半导体散热结构的中空腔体内含有相变散热液，可以在腔体内实现相变转化，以加速散热，提高散热效率。
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公开(公告)号：CN112908954A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110226932.8
申请日：2021-03-01
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , B21D22/00 , B21D37/10
Abstract: 本发明提供了一种热压制件及其制备方法和用途，所述热压制件为软焊料成型件，所述热压制件呈二维薄层结构，所述热压制件的表面均匀设有凸起；本发明阐述了将软焊料成型制备热压制件的方法，在外力的作用下，软焊料凸起部分表面的氧化膜开裂，暴露的软焊料与接触面形成无缝键合，来降低界面热阻，提高热压制件应用时的散热效率，从而提高电子设备的连续使用性能；所述热压制件结构简单，制备方法简便，效果明显，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN217100601U
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202220279682.4
申请日：2022-02-11
Applicant: 宁波施捷电子有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种承载电子元器件的载带与封装系统装置，所述的承载电子元器件的载带包括载带本体，所述的载带本体表面设置至少一个封装口袋，所述的封装口袋突出所述载带本体的表面，所述的封装口袋包括底部与侧部，所述的侧部与底部围设成用于容纳电子元器件的敞口式的腔体，所述的侧部与底部之间设置连接斜面进行连接，所述连接斜面沿所述侧部向底部表面渐缩，所述底部的表面开设有贯通所述底部的中心槽。本实用新型能够避免电子元器件的刮伤，具有较高的安全性、稳定性及可靠性。
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