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公开(公告)号:CN115106541A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202210848922.2
申请日:2022-07-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及增材制造技术领域,特别涉及一种增材制造的方法及设备,本发明技术方案首先形成至少一层成形层,然后将至少一层成形层作为整体结构,并且对至少一层成形层施加压力并加热,使得至少一层成形层形成的整体结构能够在压力以及加热状态下达到消除至少一层成形层中堆积的内应力的目的。进而也就使得本发明在实施过程中能够解决相关技术在制备成形层时存在的由于内应力堆积而出现破裂或者损坏,导致构件的良品率受到影响的缺陷。
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公开(公告)号:CN113936754A
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN202111217184.3
申请日:2021-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于增材制造技术领域,公开了一种单胞结构、多胞结构、梯度板状晶格结构及构建方法,单胞结构包括三个第一长方体板及六个第二长方体板,三个第一长方体板正交于O点,将立体空间分为八个区域,八个区域组成一个虚拟长方体;六个第二长方体板分别与虚拟长方体的六个对角面重合,并与三个第一长方体相交于O点。多胞结构由若干个不同密度的单胞结构沿三维空间内的左右、前后及上下三个方向中的任一方向按预定顺序组合装配而成;本申请的单胞结构、多胞结构、梯度板状晶格结构及构建方法,设计方法简单,可实现性强,相较于其他梯度点阵晶格结构在施加载荷时表现出均匀稳定的塑形变形,具有优异的能量吸收能力。
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公开(公告)号:CN119857854B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202510358688.9
申请日:2025-03-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种文丘里复合气雾化设备,属于金属增材制造技术领域,包括熔炼室和雾化室;雾化室包括导流嘴、文丘里管和雾化喷盘,导流嘴连通熔炼室和文丘里管;文丘里管用于通过接入气源以使喉段形成稳定气压,并对喉段内的金属熔体进行预破碎,且在预破碎后喷出喉段内的金属熔体以形成气液混合射流;雾化喷盘位于气液混合射流的上方且用于朝气液混合射流喷出超音速气流以使气液混合射流中的金属熔体雾化。本发明的文丘里复合气雾化设备解决现有设备无法有效控制导流嘴出口处的气压以及无法进一步减小金属熔体的初始特征尺寸的问题,达到提高雾化作业的稳定性和高效性,有利于获得更高质量和更小粒径的雾化粉末。
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公开(公告)号:CN119857855A
公开(公告)日:2025-04-22
申请号:CN202510358750.4
申请日:2025-03-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种金属粉末雾化设备,属于金属增材制造技术领域,包括熔炼室和雾化室,熔炼室用于将合金母料熔炼成液态的金属熔体;雾化室包括导流嘴、LAVAL管和离心转盘,导流嘴的末端出口位于LAVAL管的喉段且喉段相对水平面垂直布置;LAVAL管用于通过接入气源以使喉段形成稳定气压,并对喉段内的金属熔体进行预破碎,且在预破碎后向下输出喉段内的金属熔体;离心转盘位于LAVAL管的正下方,离心转盘用于承接从LAVAL管输出的金属熔体并将金属熔体雾化。本发明的金属粉末雾化设备解决现有设备中金属熔体输送过程由于导流嘴下方气压波动而影响离心雾化效果并存在损坏泵组的问题,实现导流嘴的末端出口气压可控,确保金属熔体的供给稳定可靠。
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公开(公告)号:CN118905212A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410990760.5
申请日:2024-07-23
Applicant: 季华实验室
IPC: B22F1/12 , B22F1/142 , B22F9/14 , B22F9/04 , B22F10/28 , B22F10/34 , C22C21/00 , C22C21/06 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059 , B33Y70/10 , B33Y10/00 , B33Y80/00
Abstract: 本申请公开了一种铝基复合粉末及其制备方法、铝基复合材料及其制备方法,属于铝基复合材料技术领域。公开了铝基复合粉末制备方法,包括:对铝基原料与部分的陶瓷纳米颗粒进行机械混粉,得到第一复合粉末;对第一复合粉末进行等离子球化处理,得到第二复合粉末;对第二复合粉末进行热处理,得到第三复合粉末;在陶瓷纳米颗粒的当前加入总量小于其目标加入总量的情况下,将第三复合粉末作为铝基原料,并返回执行对铝基原料与部分的陶瓷纳米颗粒进行机械混粉的步骤,直至陶瓷纳米颗粒的当前加入总量等于其目标加入总量,将第三复合粉末确定为铝基复合粉末。本申请解决了铝基复合粉末制备过程中纳米颗粒容易团聚的技术问题。
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公开(公告)号:CN117778823A
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN202410014014.2
申请日:2024-01-02
Applicant: 季华实验室
IPC: C22C21/00 , C22C1/047 , B22F9/08 , B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/64 , B33Y10/00 , B33Y40/20 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22F1/04
Abstract: 本申请公开了一种高强耐热铝合金及其制备方法,属于铝合金技术领域。以质量百分比计,所述高强耐热铝合金包括:4.0‑5.6%的Mn、1.0‑2.5%的Ni、0.5‑1.0%的Ce、0.6‑0.9%的Sc、0.2‑0.4%的Zr,其余为Al。本申请解决了常规铝合金材料的高温力学性能较差的技术问题。
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公开(公告)号:CN116882210B
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202311142431.7
申请日:2023-09-06
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C60/00 , G06F17/16 , G06F18/22 , B22F10/80 , B22F10/38 , B22F10/20 , B33Y50/00 , G06F113/10
Abstract: 本申请公开了一种多孔晶格结构的工艺开发方法、装置、设备及存储介质,涉及增材制造技术领域。该工艺开发方法包括:获取制备多孔晶格结构的目标材料特性和结构信息;根据目标材料特性,确定轮廓激光功率和轮廓扫描速度的第一参数基准值;基于第一参数基准值,构建对应的二因子参数矩阵;根据结构信息,确定对应的轮廓偏置参数;基于二因子参数矩阵和轮廓偏置参数,增材制造成形多孔晶格结构的第一试验样品,并检测第一试验样品的表面粗糙度;根据表面粗糙度,确定多孔晶格结构的最优轮廓参数值,并将最优轮廓参数值作为多孔晶格结构的优化工艺参数包。本申请优化了多孔晶格结构的工艺参数,进而提高了多孔晶格结构的表面质量。
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公开(公告)号:CN113903413B
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202111217196.6
申请日:2021-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于增材制造技术领域,公开了一种胞元结构、板状晶格结构及构建方法,胞元结构包括三个长方体板,三个长方体板正交设置,将立体空间分为八个区域,每个区域内具有空心四面体,空心四面体的一个顶点与三个长方体板相交的O点重合,每个所述区域内均具有三个A点,三个所述A点分别位于三个所述长方体板上,每个所述A点与所述O点呈对角线设置,所述空心四面体的另外三个顶点分别与相应的所述区域内的三个A点重合。板状晶格结构由若干个胞元结构沿三维空间内的左右、前后及上下方向周期性阵列形成;本申请的胞元结构、板状晶格结构及构建方法,结构设计简单,可实现性强,相较于点阵晶格结构具有更高的强度和刚度。
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公开(公告)号:CN119167831B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411641671.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , B22F9/10 , B33Y40/00 , G06F113/08 , G06F113/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种等液膜厚度离心转盘设计方法、相关设备及离心转盘,涉及金属增材制造技术领域。该等液膜厚度离心转盘设计方法包括步骤:根据指定隐函数获得特定轮廓线;特定轮廓线包括直线段和曲线段,直线段的一端和曲线段的一端平滑连接;根据特定轮廓线获得离心转盘的上表面。本发明的等液膜厚度离心转盘设计方法能够有效提升转盘上表面金属熔体的分布均匀性并降低速度滑移,实现在金属熔体液流非完全正对转盘中心时也能够获得良好的雾化效果。
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公开(公告)号:CN119167831A
公开(公告)日:2024-12-20
申请号:CN202411641671.6
申请日:2024-11-18
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/28 , B22F9/10 , B33Y40/00 , G06F113/08 , G06F113/10 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种等液膜厚度离心转盘设计方法、相关设备及离心转盘,涉及金属增材制造技术领域。该等液膜厚度离心转盘设计方法包括步骤:根据指定隐函数获得特定轮廓线;特定轮廓线包括直线段和曲线段,直线段的一端和曲线段的一端平滑连接;根据特定轮廓线获得离心转盘的上表面。本发明的等液膜厚度离心转盘设计方法能够有效提升转盘上表面金属熔体的分布均匀性并降低速度滑移,实现在金属熔体液流非完全正对转盘中心时也能够获得良好的雾化效果。
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