摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104380466A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201380028598.9

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:多个受光部(31)形成于第1主面(30SA),切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;借助透明的粘接层(41)将摄像芯片(30)的第1主面(30SA)粘接于玻璃晶圆(20W),并且,借助粘接层(41)将虚设芯片(30D)粘接于玻璃晶圆(20W)的未粘接摄像芯片(30)的外周区域而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将摄像芯片(30)以及虚设芯片(30D)之间填充的工序;将接合晶圆(40W)加工而减薄厚度的工序;在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)的工序。

    摄像装置和内窥镜
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107210306B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201580074062.X

    申请日:2015-01-23

    Inventor: 吉田和洋

    Abstract: 摄像装置(1)具有:硅层(10);布线层(20),其包含介电常数比氧化硅低的绝缘体;玻璃盖(40),其覆盖硅层(10)的受光面(10SA)的受光部(11);以及硅基板(50),其覆盖布线层(20)的背面(20SB),在布线层(20)中形成有沿着外缘的保护环(24),在硅层(10)的没有被玻璃盖(40)覆盖的区域内存在以由布线层(20)的导体构成的电极焊盘(29)为底面的贯通孔(10H),在贯通孔(10H)的内表面上,布线层(20)的绝缘体没有露出。

    摄像装置、半导体装置及摄像单元

    公开(公告)号:CN104364894B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201380028669.5

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)包括:摄像芯片(30),其在第1主面(30SA)上具有受光部(31)和形成于受光部(31)的周围的电极焊盘(32),在第2主面(30SB)上具有借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)相连接的外部连接电极(34);透明的玻璃盖片(20),其俯视尺寸大于所述摄像芯片(30)的俯视尺寸;透明的粘接层(41),其用于粘接所述摄像芯片(30)的第1主面(30SA)与玻璃盖片(20)之间;以及密封构件(42),其覆盖所述摄像芯片(30)的侧面和粘接层(41)的侧面,并由与玻璃盖片(20)的俯视尺寸相同的俯视尺寸的绝缘材料构成。

    摄像装置和内窥镜
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107210306A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201580074062.X

    申请日:2015-01-23

    Inventor: 吉田和洋

    Abstract: 摄像装置(1)具有:硅层(10);布线层(20),其包含介电常数比氧化硅低的绝缘体;玻璃盖(40),其覆盖硅层(10)的受光面(10SA)的受光部(11);以及硅基板(50),其覆盖布线层(20)的背面(20SB),在布线层(20)中形成有沿着外缘的保护环(24),在硅层(10)的没有被玻璃盖(40)覆盖的区域内存在以由布线层(20)的导体构成的电极焊盘(29)为底面的贯通孔(10H),在贯通孔(10H)的内表面上,布线层(20)的绝缘体没有露出。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104364898A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201380028280.0

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:切断在第1主面(30SA)形成有受光部(31)和电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;将摄像芯片(30)粘接于玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将多个摄像芯片(30)之间填充的工序;将接合晶圆(40W)从第2主面(30SB)侧加工而减薄厚度的工序;在摄像芯片(30)上形成贯穿通路(33S)的工序;形成覆盖摄像芯片(30)的第2主面(30SB)、密封构件(42)的表面以及贯穿通路(33S)的壁面的绝缘层(43)的工序;形成贯穿布线(33)的工序;在第2主面(30SB)上形成与贯穿布线(33)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)的工序。

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