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公开(公告)号：CN114965303B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210891203.9
申请日：2022-07-27
申请人： 天津工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于SOI的波导布拉格光栅葡萄糖传感器，包括硅衬底、在衬底上面的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上生长具有一定厚度的单晶硅薄膜以及在单晶硅薄膜上包覆的上包层，其特征在于，制作时在单晶硅薄膜上蚀刻波导布拉格光栅，之后加工上包层，并在波导布拉格光栅的上方进行开窗处理，在开窗部分滴加GOD溶液，构成GOD上包层；所述GOD上包层的作用是在GOD上包层滴加不同浓度的葡萄糖时，其折射率会发生变化，相应的波导布拉格光栅反射的中心波长也会发生变化，GOD上包层的下表面与波导布拉格光栅的上表面直接接触。本发明能够实现利用波导布拉格光栅传感器检测葡萄糖浓度变化，同时具有集成度高、灵敏度高的优点。
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公开(公告)号：CN114624814B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210514706.4
申请日：2022-05-12
申请人： 天津工业大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种基于聚合物光子集成芯片的柔性心电解调电子皮肤，该电子皮肤的结构包括聚合物光子集成芯片和柔性解调电路，其中：所述聚合物光子集成芯片包括聚二甲基硅氧烷基底以及设置于所述聚二甲基硅氧烷基底上的通过光波导实现相互连接的光源阵列、输入光栅耦合器阵列、多模干涉耦合器、马赫‑曾德尔电光调制器、输出光栅耦合器和光电探测器；所述柔性解调电路包括板材层、线路层和元器件层。与现有技术相比，本发明克服了传统电学技术抗电磁干扰能力弱等缺点，能够实现基于光学技术的心电信号检测，同时采用的柔性材料可以更好的实现与可穿戴系统的兼容，解决了刚性芯片不易于贴附人体的问题。
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公开(公告)号：CN114624814A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210514706.4
申请日：2022-05-12
申请人： 天津工业大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种基于聚合物光子集成芯片的柔性心电解调电子皮肤，该电子皮肤的结构包括聚合物光子集成芯片和柔性解调电路，其中：所述聚合物光子集成芯片包括聚二甲基硅氧烷基底以及设置于所述聚二甲基硅氧烷基底上的通过光波导实现相互连接的光源阵列、输入光栅耦合器阵列、多模干涉耦合器、马赫‑曾德尔电光调制器、输出光栅耦合器和光电探测器；所述柔性解调电路包括板材层、线路层和元器件层。与现有技术相比，本发明克服了传统电学技术抗电磁干扰能力弱等缺点，能够实现基于光学技术的心电信号检测，同时采用的柔性材料可以更好的实现与可穿戴系统的兼容，解决了刚性芯片不易于贴附人体的问题。
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公开(公告)号：CN114236883A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111628328.4
申请日：2021-12-28
申请人： 天津工业大学
摘要： 一种硅/聚合物杂化狭缝波导马赫‑曾德尔电光调制器，包括衬底、二氧化硅层和马赫‑曾德尔结构的调制臂，调制臂的中部为狭缝波导结构并嵌入在二氧化硅层内，调制臂的两端分别连接输入端和输出端，输入端和输出端均采用多模干涉耦合器结构，调制臂在与输出端相连的部分采用不等臂结构，在狭缝波导结构的外侧分别设置有嵌入在二氧化硅层内的第一P+型掺杂硅体料区和第二P+型掺杂硅体料区，在狭缝波导结构的内侧设置有嵌入在二氧化硅层内的N+型掺杂硅体料区，在各掺杂硅体料区的上方分别设置共面电极，共面电极与各掺杂硅体料区通过钨通孔连接。本发明有效地降低调制器的半波电压，并有效地提高了聚合物与光场的相互作用，提高了调制效率。
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公开(公告)号：CN114965450A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210891206.2
申请日：2022-07-27
申请人： 天津工业大学
摘要： 本发明公开了一种基于聚合物波导布拉格光栅的葡萄糖传感器，包括PDMS下包层以及设置于所述PDMS下包层上的波导芯层、将GOD通过偶联剂固定在波导芯层表面固化形成GOD上包层；所述波导芯层为宽度不同的侧壁周期性起伏的双边结构。本发明实现了基于光学传感技术的葡萄糖检测，同时基于聚合物材料的波导布拉格光栅具有结构简单、体积小巧和易于制备的特点，且线性变化精度高，灵敏度高。
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