本发明公开了一种基于SOI的波导布拉格光栅葡萄糖传感器，包括硅衬底、在衬底上面的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上生长具有一定厚度的单晶硅薄膜以及在单晶硅薄膜上包覆的上包层，其特征在于，制作时在单晶硅薄膜上蚀刻波导布拉格光栅，之后加工上包层，并在波导布拉格光栅的上方进行开窗处理，在开窗部分滴加GOD溶液，构成GOD上包层；所述GOD上包层的作用是在GOD上包层滴加不同浓度的葡萄糖时，其折射率会发生变化，相应的波导布拉格光栅反射的中心波长也会发生变化，GOD上包层的下表面与波导布拉格光栅的上表面直接接触。本发明能够实现利用波导布拉格光栅传感器检测葡萄糖浓度变化，同时具有集成度高、灵敏度高的优点。