公开(公告)号：CN109890870B

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN201780066348.2

申请日：2017-10-27

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  能势雅聪 ,  野村孝史 ,  高野真也 ,  内藤真人 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C09K3/18

Abstract: 一种包含－PFPE－X－SiRakRblRcm所示的结构的含全氟(聚)醚基的硅烷化合物。例如，PFPE表示全氟(聚)醚基，X表示碳原子数2～20的取代或非取代的亚烷基，Ra表示含Si的官能团，Rb表示羟基或能够水解的基团，Rc表示氢原子或低级烷基，k为1～3的整数，l和m分别为0～2的整数，在每个－SiRakRblRcm中，k、l和m之和为3。

公开(公告)号：CN111670207A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN201980011171.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  内藤真人 ,  渡边裕介 ,  小泽香织 ,  高野真也 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C03C17/32 ,  C08G65/00 ,  H04M1/02

Abstract: 一种电子设备，其至少在部分表面具有式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)中的任一式所示的含氟代(聚)醚基的硅烷化合物形成的表面处理层。式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3XF6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示且至少具有1个支链结构的基团、或者为式：－(R16－R17)j1－所示的基团。各符号的含义与说明书中的记载相同。

公开(公告)号：CN110204525A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910536687.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  高野真由子 ,  谷明范 ,  冈田伦明 ,  坂田英郎 ,  岛田朋生 ,  木下信一

IPC: C07D317/40 ,  H01G11/64 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/0567

Abstract: 本发明提供一种新型的具有氟代烷基的不饱和环状碳酸酯。本发明为下述通式所示的化合物。

公开(公告)号：CN107108550A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062686.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  高野真由子 ,  谷明范 ,  冈田伦明 ,  坂田英郎 ,  岛田朋生 ,  木下信一

IPC: C07D317/40 ,  H01G11/64 ,  H01G11/84 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0567 ,  H01M10/0569 ,  C07B61/00

Abstract: 本发明提供一种新型的具有氟代烷基的不饱和环状碳酸酯。本发明为下述通式所示的化合物。

公开(公告)号：CN120051477A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380073043.X

申请日：2023-11-08

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  半田晋也 ,  松井元志 ,  原真奈美 ,  久保田大贵 ,  野村孝史 ,  山口史彦

IPC: C07F7/18 ,  C09K3/18

Abstract: 一种式(1)所示的含氟原子硅烷化合物，各符号的含义与说明书中的记载相同。(Rf1)α1‑XA‑(RSi)α2···(1)。

公开(公告)号：CN119698451A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202380058448.6

申请日：2023-08-10

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 片冈真奈美 ,  内藤真人 ,  久保田大贵 ,  高野真也 ,  松井元志 ,  山口史彦 ,  野村孝史

IPC: C09K3/18 ,  C07F7/18 ,  C08L83/00 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18

Abstract: 本发明提供一种含有(成分A)包含长链烷基结构的硅烷偶联剂和(成分B)包含硅氧烷结构的硅烷偶联剂的组合物。

公开(公告)号：CN119110820A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202380037064.6

申请日：2023-05-24

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 山下恒雄 ,  久保田大贵 ,  三桥尚志 ,  高野真也

IPC: C08G65/32

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在比现有技术更低压的情况下且以高收率制造在两末端具有活性基团的含有氟聚醚基的化合物的方法。本发明的含有氟聚醚基的化合物的制造方法包括将式(1)所示的化合物在反应介质的存在下与还原剂发生作用，由此得到式(2)所示的化合物的步骤，上述反应介质含有含氟醇。R1‑CO‑XA‑RF2‑XA‑CO‑R2(1)R1‑CH2‑XA‑RF2‑XA‑CH2‑R2(2)。

公开(公告)号：CN117062854A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280023635.6

申请日：2022-03-09

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 池内秀幸 ,  高野真也 ,  野村孝史

IPC: C08G65/336

Abstract: 本发明涉及一种提供一种后述式(A1)或(A2)所示的含有氟代聚醚基的硅烷化合物。各符号如说明书的记载。RF1‑X1‑CRSi2(OR11)···(A1)(R11O)RSi2C‑X1‑RF2‑X1‑CRSi2(OR11)···(A2)。

公开(公告)号：CN111670207B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201980011171.5

申请日：2019-01-31

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 三桥尚志 ,  野村孝史 ,  内藤真人 ,  渡边裕介 ,  小泽香织 ,  高野真也 ,  P·胡普菲尔德

IPC: C08G65/336 ,  C03C17/32 ,  C08G65/00 ,  H04M1/02

Abstract: 一种电子设备，其至少在部分表面具有式(A1)、(A2)、(B1)、(B2)、(C1)或(C2)中的任一式所示的含氟代(聚)醚基的硅烷化合物形成的表面处理层。式中，PFPE在每次出现时分别独立地为式：－(OC6F12)a－(OC5F10)b－(OC4F8)c－(OC3XF6)d－(OC2F4)e－(OCF2)f－所示且至少具有1个支链结构的基团、或者为式：－(R16－R17)j1－所示的基团。各符号的含义与说明书中的记载相同。

公开(公告)号：CN114651028A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202080078302.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 高野真也 ,  野村孝史 ,  今野勉 ,  山田重之

IPC: C08G65/329 ,  C07B61/00

Abstract: 一种含有氟代聚醚基的化合物的制造方法，其包括在具有选自Pd、Cu、Ni、Pt和Ag中的至少1种的金属催化剂的存在下，使式(1)所示的含有氟代聚醚基的化合物(A)与式(c1)～(c4)中的任一式所示的化合物(C)发生反应的步骤。式中，各记号如说明书所记载。X11－(R11)n11－RF1－X12···(1)。