公开(公告)号：CN102379028A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201080015110.5

申请日：2010-03-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  中村新吾 ,  毛塚健彦 ,  江藤友亮

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/31111 ,  C09K13/08

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液，其通过含有氢氟酸(A)、氟化铵(B)、由具有高于氢氟酸(pKa＝3.17)的pKa的酸(C1)和具有高于氨(pKa＝9.24)的pKa的碱(C2)得到的盐(C)和水(D)，伴随药液的蒸发等组成变化小，药液的交换频率低即可，且即使经过长时间也能够均匀地对硅氧化膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101785087A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103849.4

申请日：2008-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 中村新吾 ,  毛塚健彦

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种含有表面保护剂的干式工艺后的残渣除去液，其能够实现使用现有的聚合物剥离液不能解决的防止Cu表面龟裂和粗糙、同时防止Cu表面氧化，本发明还提供一种使用该残渣除去液的半导体设备的制造方法。本发明的残渣除去液用于除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣，其含有Cu表面保护剂、能够与Cu(铜)形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该残渣除去液的pH为4～9，其中，Cu表面保护剂由选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种的化合物构成，(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。

公开(公告)号：CN1096703C

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：CN96198370.1

申请日：1996-11-11

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  上谷文宏 ,  板野充司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/308 ,  C11D17/08 ,  C11D1/12 ,  C11D3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D1/24 ,  C11D1/29 ,  C11D3/042 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/08 ,  C11D11/0047

Abstract: 晶片处理液，及在该处理液中添加水，H2O2，HNO3，CH3COOH，NH4F等，制造低浓度晶片处理液的方法。

公开(公告)号：CN105543023A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610071625.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 中村新吾 ,  毛塚健彦

IPC: C11D11/00 ,  C11D7/32 ,  H01L21/02 ,  C11D7/34

CPC classification number: H01L21/02068 ,  C11D7/3281 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02063

Abstract: 本发明提供一种残渣除去液、残渣除去方法和半导体设备的制造方法。该残渣除去液用于除去干蚀刻和/或灰化后半导体基板上的残渣，其含Cu表面保护剂、能与Cu形成配位化合物或螯合物的化合物和水，该液pH为4～9，Cu表面保护剂由选自(1)～(3)中至少一种化合物构成，(1)含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不含3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以下，(2)含有具有式：-N＝C(SH)-X-(X为NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以下，(3)含有具有至少1个氮原子的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)pH为7以上。

公开(公告)号：CN101657887B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200880011921.0

申请日：2008-04-08

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  中村新吾 ,  毛塚健彦 ,  渡边大祐

IPC: H01L21/308

CPC classification number: C09K13/08 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C09K15/00 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76814

Abstract: 本发明提供伴随药液蒸发等的组成变化少、药液更换频度少，而且经时的蚀刻速率变化也少，能够均匀蚀刻硅氧化膜的蚀刻液。具体地涉及含有氢氟酸(a)、氟化铵(b)以及氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的蚀刻液，氟化铵(b)的浓度为8.2mol/kg以下，氟化铵(b)和氟化氢与沸点比氨高的碱的盐(c)的合计为9.5mol/kg以上，还涉及该蚀刻液的制造方法以及使用该蚀刻液的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN1678961A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN03819876.2

申请日：2003-08-21

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 板野充司 ,  金村崇 ,  中村新吾 ,  上谷文宏 ,  毛塚健彦

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H05K3/26

CPC classification number: H01L21/02063 ,  C11D7/08 ,  C11D7/24 ,  C11D7/263 ,  C11D7/264 ,  C11D7/265 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/34 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/42 ,  G03F7/422 ,  G03F7/423 ,  G03F7/425 ,  G03F7/426 ,  G03F7/428 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明提供一种包含有机酸及有机溶剂中的至少一种、及氟化氢(HF)的low－k膜用抗蚀剂剥离液及通孔或电容器清洗液，及使用它们的抗蚀剂剥离方法及通孔或电容器的清洗方法。

公开(公告)号：CN1328697A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN99813593.3

申请日：1999-11-22

Applicant: 大金工业株式会社

Inventor： 毛塚健彦 ,  陶山诚 ,  板野充司

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  C09K13/08

CPC classification number: H01L21/31111 ,  C09K13/08

Abstract: 一种蚀刻溶液,其对热氧化膜(THOX)和硼磷玻璃膜(BPSG)的蚀刻速率在25℃为100埃/分钟或略低,蚀刻速率的比值:BPSG的蚀刻速率/THOX的蚀刻速率的值为1.5或更小。