公开(公告)号：CN102792467B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180012593.8

申请日：2011-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 柴田晃秀 ,  根岸哲 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明在同一绝缘性基板（200）的安装面上配置了100个以上的平均每个的发光面积为2500πμm2以下的多个棒状构造发光元件（210）。由此，通过一边抑制发光时的温度上升一边使发光分散，从而提供亮度的偏差少且长寿命、高效率的发光装置。

公开(公告)号：CN102227006B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201010576708.3

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  森下敏 ,  柴田晃秀 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  F21S8/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。

公开(公告)号：CN102792467A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012593.8

申请日：2011-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 柴田晃秀 ,  根岸哲 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明在同一绝缘性基板（200）的安装面上配置了100个以上的平均每个的发光面积为2500πμm2以下的多个棒状构造发光元件（210）。由此，通过一边抑制发光时的温度上升一边使发光分散，从而提供亮度的偏差少且长寿命、高效率的发光装置。

公开(公告)号：CN102782892A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180013628.X

申请日：2011-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  柴田晃秀 ,  小宫健治 ,  吉冈史善 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/62 ,  G02F1/13357 ,  H01L33/20

CPC classification number: G02F1/133603 ,  F21K9/00 ,  G02F1/133605 ,  G02F2001/133612 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133628 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 在绝缘性基板（720）的直线区域（S）形成金属布线（731），并且与金属布线（731）空开规定的间隔大致平行地形成金属布线（732）。在棒状结构发光元件（710A~710D）的n型半导体核心（701）连接金属布线（731），在p型的半导体层（702）连接金属布线（732）。通过将绝缘性基板（720）分割成多个分割基板，从而形成多个在分割基板上配置有多个棒状结构发光元件（710）的发光装置。在多个发光元件中，将在基板分割工序中即使被切断也不影响所希望的发光量的棒状结构发光元件（710）配置在绝缘性基板（720）的切断区域中，即使由于切断而破损的棒状结构发光元件（710）不发光，也通过没有被切断的其他多个棒状结构发光元件（710）进行发光。

公开(公告)号：CN102227006A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201010576708.3

申请日：2010-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 根岸哲 ,  森下敏 ,  柴田晃秀 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  F21S8/00

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法及半导体元件，提供能够增大发光面积并且发光效率高的棒状结构的半导体元件的制造方法。该半导体元件的制造方法，因为不仅在n型的半导体核心（7）的前端面（7A），也在侧面（7B）形成p型的半导体层（10），所以能够增大pn结的面积，能够增大发光面积，能够提高发光效率。此外，因为使用触媒金属（6）形成n型的半导体核心（7），所以能够加快n型的半导体核心（7）的生长速度。因此，能够增长半导体核心（7），能够进一步增大与n型的半导体核心（7）的长度成比例关系的发光面积。

公开(公告)号：CN102042540A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010511004.8

申请日：2010-10-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 柴田晃秀 ,  根岸哲 ,  森下敏 ,  小宫健治 ,  岩田浩 ,  高桥明 ,  矢追善史

IPC: F21S8/00 ,  F21V19/00 ,  F21V23/06 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H05B33/0806 ,  H05B33/0803 ,  H05B33/0821

Abstract: 本发明提供一种发光装置及其制造方法。根据该发光装置，在棒状发光元件(505)的N型第二区域(507)的两侧配置有P型第一区域(506)和P型第三区域(508)。因而，即使棒状发光元件(505)的第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接互换，相对于第一、第三电极(501、503)的二极管极性也不互换，所以可正常发光。因此，在制造工序中，第一、第三区域(506、508)相对于第一、第三电极(501、503)的连接也可以相反，不需要用于识别棒状发光元件(505)的方向性的标记或形状，能够简化制造工序，进而能够抑制制造成本。