公开(公告)号：CN104157561B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410389035.9

申请日：2014-08-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用二维金属层厚度来降低石墨烯电极接触电阻的方法。通过物理气相沉积PVD）的方法在石墨烯器件上淀积金属电极。制作一种石墨烯/二维金属层/金的结构。通过调节二维金属层的厚度来调节石墨烯与二维金属层的接触，调节接触势垒，使接触势垒最低，通过这种方法来降低石墨烯接触电阻。通过这种方法可以有效地来降低石墨烯接触电阻，从而制备性能优良的石墨烯器件，而且这方法简单方便。该方法可以作为制备二维材料器件的一种基本方法。

公开(公告)号：CN103915348B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410157130.6

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种制备石墨烯纳米线器件的方法。本发明在一块二氧化硅衬底上刻蚀出一条细长的纳米槽，通过掩模板在槽内淀积许多不连续铜小块，这些铜作为石墨烯成核位点；利用低压化学气相沉积在槽内生长一层石墨烯纳米线；利用原子层沉积在槽内生长高K介质，覆盖在石墨烯纳米线上，形成器件的高K栅介质；接着制作器件的源极、漏极和栅极的电极，形成石墨烯纳米线器件。该方法简单方便可靠，可以制备超长纳米线，石墨烯纳米线禁带宽度大，可利用原子层沉积在石墨烯上形成高K栅介质。该方法可以作为制备石墨烯纳米线器件的一种基本方法。

公开(公告)号：CN103928340A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410157127.4

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/283 ,  H01L21/28079

Abstract: 本发明属于二维材料基集成电路制造技术领域，具体为一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法。本发明在高掺硅上有一层二氧化硅薄层作为衬底，利用掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积薄钼，然后在钼的两边淀积一些不联系的铜斑点。利用钼薄膜，在衬底上生长二硫化钼；利用两边的铜，生长石墨烯。生长的石墨烯与二硫化钼相连，作为电极；在二硫化钼上生长氮化硼作为保护层，最后形成二维的二硫化钼背栅器件。本发明方法可以直接生长出二维的二硫化钼背栅器件，不需要经过光刻等工艺步骤，方法简单方便，制备的器件性能良好。可以作为制备二维材料器件的基本方法。