公开(公告)号：CN101834274A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010148279.X

申请日：2010-04-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张昕 ,  卢茜 ,  吴晓京 ,  朱玮 ,  周永宁

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域，具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体，通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入，从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance？Random？Access？Memory，简称RRAM)元器件，并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布，优化器件性能。

公开(公告)号：CN101786599A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010022795.8

申请日：2010-01-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  陈志辉 ,  卢茜 ,  刘冉

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种构造铁电薄膜材料表面形貌的方法。它利用纳米压印技术构造铁电薄膜材料表面形貌的同时，使得被压印铁电材料的电畴自发极化方向取向有序化。而且电畴自发极化方向取向有序化程度可由应力大小来控制。相比于传统的依靠外加电压控制铁电材料电畴自发极化方向取向的方法，本发明方法具有方便，有效的优点，可以广泛应用在铁电存贮器(FeRAMs)、微电子机械系统(MEMS)及光电子等领域。