一种用氯化硫钝化III-V族半导体表面的方法

    公开(公告)号:CN1105780A

    公开(公告)日:1995-07-26

    申请号:CN94112024.4

    申请日:1994-01-18

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种用氯化硫钝化III-V族半导体材料及器件表面的方法,已有的钝化方法时间长而且要控制温度,本发明用氯化硫处理III-V族半导体材料及器件,只需将半导体预清洗后,室温下将其放入氯化硫溶液中数秒至几十秒钟,取出用无水有机溶剂、丙酮、水冲洗,氮气吹干即可,本方法室温即可,条件简单,处理时间快,工艺简捷,可作为III-V族半导体,如GaAs、InP、InSb等半导体材料或器件的表面钝化技术。

    发光器件、显示面板及显示设备
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116490021A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310387611.5

    申请日:2023-04-11

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 衣睿宸 侯晓远

    Abstract: 本公开涉及发光器件、显示面板及显示设备。一种发光器件,包括:第一电极层;第二电极层;设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光功能层;以及设置在所述第一电极层和所述发光功能层之间的第一载流子传输层,所述第一载流子传输层被配置用于将来自所述第一电极层的第一载流子传输至所述发光功能层,其中,在所述第一载流子传输层和所述发光功能层之间的界面处形成用于所述第一载流子的抽取势垒,并且其中,所述第一载流子传输层被掺杂,以相比于未被掺杂时具有提高的第一载流子传导性。

    超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法

    公开(公告)号:CN104535860A

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201410801913.3

    申请日:2014-12-22

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 陈小青 侯晓远

    Abstract: 本发明属于电学测量技术领域,具体为一种超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法。本发明使用两个相同型号的电压测试探头分别测量待测器件的两个电极;每个电压探头与待测器件的两个电极通过固定装置固定相对位置;从而精确测得器件对脉冲激励信号的快速电流或电压响应。传统的单探头测量方法中若使用更灵敏的(高带宽、采样率)示波器和探头,则会引入高频噪声信号,从而严重影响测量结果的质量。本发明的方法则可以避免这一问题,因而允许以更高的带宽和采样率测量器件的电流或电压响应。

    一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法

    公开(公告)号:CN100369293C

    公开(公告)日:2008-02-13

    申请号:CN200510023306.X

    申请日:2005-01-13

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法,一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触,来调控和影响电子或空穴的注入速率和相对比例,从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-10nm进行铝掺杂,掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1-10∶1。由于铝掺杂,器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中,进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。

    有机发光器件中的双亲分子缓冲层及其制备方法

    公开(公告)号:CN1474638A

    公开(公告)日:2004-02-11

    申请号:CN03141803.1

    申请日:2003-07-24

    Applicant: 复旦大学

    CPC classification number: H05B33/14 H01L51/5092 H05B33/20

    Abstract: 一种采用双亲分子超薄膜作为有机发光器件中有机电子传输层与金属电极之间连接层或缓冲层及其制备方法。传统的有机发光器件中的缓冲层是无机缓冲层,缓冲层的引入改善了有机发光器件的电子注入,提高了有机发光器件的效率。但是传统的缓冲层材料LiF是种无机材料,有机材料和无机材料在化学性质上存在着巨大差异,由此产生了的有机发光器件的不稳定性。本发明引入双亲分子脂肪酸盐超薄膜缓冲层可以紧密地连接有机层和金属电极,用常规的热蒸发系统即能制得该缓冲层,这种分子的弹性长链结构使得该缓冲层具有较强的抗热冲击的能力,从而增强了有机发光器件的热稳定性,提高了电子注入。

    发光多孔硅材料的制备方法

    公开(公告)号:CN1436878A

    公开(公告)日:2003-08-20

    申请号:CN03115546.4

    申请日:2003-02-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 一种采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀,孔径比较大,界面不平整,腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀方法也有自身的缺点,化学反应产物不能有效地快速扩散出来。而且以这些方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用超声的特性,在电化学腐蚀多孔硅的同时加上超声,更加优化了腐蚀条件。得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。

    用于在样品上沉积聚对二甲苯膜的沉积系统

    公开(公告)号:CN117947383A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202211285504.3

    申请日:2022-10-20

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本公开涉及用于在样品上沉积聚对二甲苯膜的沉积系统。沉积系统包括沉积室和第一真空泵子系统。沉积室包括:第一法兰接口、第二法兰接口、第三法兰接口,第一法兰接口被配置作为向沉积室传送样品和从沉积室传送样品的出入口;样品托,设置在沉积室中并被配置为放置样品;筒状冷阱,在沉积室中围绕样品托设置,并在面向第一法兰接口的一侧设置有开口以允许样品穿过开口进出样品托;聚对二甲苯裂解源,安装在沉积室的面向样品托的第二法兰接口上,并被配置为向放置在样品托内的样品沉积聚对二甲苯膜。第一真空泵子系统连接至沉积室的第三法兰接口并被配置为提供沉积室的真空状态。

    超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法

    公开(公告)号:CN104535860B

    公开(公告)日:2017-07-28

    申请号:CN201410801913.3

    申请日:2014-12-22

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 陈小青 侯晓远

    Abstract: 本发明属于电学测量技术领域,具体为一种超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法。本发明使用两个相同型号的电压测试探头分别测量待测器件的两个电极;每个电压探头与待测器件的两个电极通过固定装置固定相对位置;从而精确测得器件对脉冲激励信号的快速电流或电压响应。传统的单探头测量方法中若使用更灵敏的(高带宽、采样率)示波器和探头,则会引入高频噪声信号,从而严重影响测量结果的质量。本发明的方法则可以避免这一问题,因而允许以更高的带宽和采样率测量器件的电流或电压响应。

Patent Agency Ranking