公开(公告)号：CN1303954A

公开(公告)日：2001-07-18

申请号：CN00136258.5

申请日：2000-12-18

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 长谷卓 ,  宫坂洋一 ,  新内聬畅 ,  森冈洋 ,  山手拓 ,  桂木速人 ,  森清人

IPC: C23C18/12 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C18/1216

Abstract: 提供能够形成无涂布不匀(条痕)的均匀薄膜的强电介质薄膜形成用溶液及强电介质薄膜形成方法。还提供以含有选自改性硅油或者氟型表面活性剂中的至少一种为特征的强电介质薄膜形成用溶液及使用该溶液的强电介质薄膜形成方法。

公开(公告)号：CN1384541A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN02119113.1

申请日：2002-05-08

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 宫坂洋一

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31691

Abstract: 提供一种使用实现低电压工作的陶瓷电容器的半导体器件的制造方法。在具有电介质电容器的半导体器件的制造方法中,其特征在于,包括:形成下部电极的第一工序;在所述下部电极上,形成在表面上带有凹凸的多晶的电介质薄膜的第二工序;将所述电介质薄膜的预定膜厚的表层部熔融,通过急热急冷来使其表面平坦的第三工序;以及在所述电介质薄膜上形成上部电极的第四工序。