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公开(公告)号:CN114051682B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202080048727.0
申请日:2020-06-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种垂直谐振器型发光元件包括:基板(11);形成于基板上的第一多层膜反射镜(12);形成于第一多层膜反射镜上并具有第一导电类型的第一半导体层(13N);形成于第一半导体层上的发光层(13A);形成于发光层上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型、同时在上表面上具有凸部(13PB)的第二半导体层(13P);覆盖第二半导体层的上表面、同时具有暴露出凸部的上表面上的第二半导体层的开口的绝缘层(14),所述凸部终止于上表面上;形成于绝缘层上以覆盖第二半导体层的上表面的透光电极层(15),所述上表面通过绝缘层的开口暴露出来;以及形成于透光电极层上并与第一多层膜反射镜一起构成谐振器的第二多层膜反射镜(16)。
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公开(公告)号:CN114051682A
公开(公告)日:2022-02-15
申请号:CN202080048727.0
申请日:2020-06-17
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 一种垂直谐振器型发光元件包括:基板(11);形成于基板上的第一多层膜反射镜(12);形成于第一多层膜反射镜上并具有第一导电类型的第一半导体层(13N);形成于第一半导体层上的发光层(13A);形成于发光层上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型、同时在上表面上具有凸部(13PB)的第二半导体层(13P);覆盖第二半导体层的上表面、同时具有暴露出凸部的上表面上的第二半导体层的开口的绝缘层(14),所述凸部终止于上表面上;形成于绝缘层上以覆盖第二半导体层的上表面的透光电极层(15),所述上表面通过绝缘层的开口暴露出来;以及形成于透光电极层上并与第一多层膜反射镜一起构成谐振器的第二多层膜反射镜(16)。
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公开(公告)号:CN103066187B
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201210399285.1
申请日:2012-10-19
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 横林裕介
IPC: H01L33/50 , H01L33/38 , F21S41/141 , F21S43/14
CPC classification number: H01L33/504 , F21S41/143 , F21S41/147 , H01L33/505 , H01L33/508
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和车灯。半导体发光器件通过半导体发光元件和包含荧光物质的波长转换层的组合产生想要的发光颜色的混合光,并且车灯包括该半导体发光器件。波长转换层在其覆盖半导体发光元件的发光操作时电流密度相对较高的区域的部分以及其覆盖半导体发光元件的发光操作时电流密度相对较低的区域的部分处分别具有不同的波长转换特性,以减小由于发光操作时发光层中的电流密度的不均匀性导致的光提取表面上的混合光的色度差。
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公开(公告)号:CN103066187A
公开(公告)日:2013-04-24
申请号:CN201210399285.1
申请日:2012-10-19
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Inventor: 横林裕介
CPC classification number: H01L33/504 , F21S41/143 , F21S41/147 , H01L33/505 , H01L33/508
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和车灯。半导体发光器件通过半导体发光元件和包含荧光物质的波长转换层的组合产生想要的发光颜色的混合光,并且车灯包括该半导体发光器件。波长转换层在其覆盖半导体发光元件的发光操作时电流密度相对较高的区域的部分以及其覆盖半导体发光元件的发光操作时电流密度相对较低的区域的部分处分别具有不同的波长转换特性,以减小由于发光操作时发光层中的电流密度的不均匀性导致的光提取表面上的混合光的色度差。
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公开(公告)号:CN115038997A
公开(公告)日:2022-09-09
申请号:CN202180012485.4
申请日:2021-02-05
Applicant: 斯坦雷电气株式会社
Abstract: 光学装置具有:金属反射层,其实质上由金属材料形成;第1透光层,其配置在金属反射层上;光学多层反射膜,其配置在第1透光层上,是折射率不同的复数层层积而成的;以及波长转换层,其配置在光学多层反射膜上,包含能够吸收所入射的激发光并产生更低能量的荧光的荧光材料,基于激发光的照射能够产生激发光与荧光的混成光。
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