公开(公告)号：CN119422084A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380048429.5

申请日：2023-06-07

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 前村要介 ,  镰仓凉介 ,  村井俊介

IPC: G02B5/20 ,  F21V9/32 ,  H10H20/851 ,  F21Y115/30

Abstract: 该波长转换装置具有磷光体构件和多个纳米天线，该磷光体构件具有激发光入射到其上的一个表面，包含在被激发光激发时发射荧光的磷光体，并且在与所述一个表面相对的另一表面上具有不平坦结构，该不平坦结构包括多个突起部分，所述多个突起部分沿着所述另一表面以小于荧光的峰值波长的周期在第一方向上设置，所述多个纳米天线由设置在所述多个突起部分的上表面上的金属构件制成。

公开(公告)号：CN119422083A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202380048376.7

申请日：2023-06-13

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 镰仓凉介 ,  川上康之 ,  前村要介 ,  高岛启次郎 ,  村井俊介

IPC: G02B5/20 ,  F21V9/32 ,  H10H29/851

Abstract: 本发明具有：平板状磷光体部分，其包括由激发光激发以发射荧光的磷光体；第一纳米天线组，其包括多个金属第一纳米天线，所述多个金属第一纳米天线设置在磷光体部分的下表面侧上并且各自以第一周期布置；半透明主体，其包括半透明材料，所述半透明材料嵌入在每个相邻的第一纳米天线之间并且形成在磷光体部分的下表面上以便覆盖磷光体部分的下表面；以及第二纳米天线组，其包括多个金属第二纳米天线，所述多个金属第二纳米天线设置在磷光体部分的上表面上并且各自以第二周期设置在磷光体部分的上表面上。

公开(公告)号：CN115038997A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202180012485.4

申请日：2021-02-05

Applicant: 斯坦雷电气株式会社

Inventor： 横林裕介 ,  川上康之 ,  前村要介 ,  山本英明 ,  高岛启次郎 ,  镰仓凉介

IPC: G02B5/20 ,  G02B5/08 ,  F21V7/28 ,  F21V7/30 ,  F21V9/32 ,  F21V13/12 ,  H01S5/022 ,  F21Y115/30

Abstract: 光学装置具有：金属反射层，其实质上由金属材料形成；第1透光层，其配置在金属反射层上；光学多层反射膜，其配置在第1透光层上，是折射率不同的复数层层积而成的；以及波长转换层，其配置在光学多层反射膜上，包含能够吸收所入射的激发光并产生更低能量的荧光的荧光材料，基于激发光的照射能够产生激发光与荧光的混成光。