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公开(公告)号：CN118773476A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410809466.X
申请日：2024-06-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种Cu‑Al‑Ni相变散热材料及其制备方法，本发明属于相变式散热材料领域，具体涉及一种Cu‑Al‑Ni相变散热材料及其制备方法。本发明要解决高工作温度、高热流密度和高功率的电子器件热管理的问题。材料按质量百分比由83.4％～83.7％Cu、12.9％～13.2％Al和3.4％Ni组成；方法：电弧熔炼；将熔炼好的铸锭固溶处理后进行水淬，得到成分均匀的合金。所得的材料具有超高的热导率，高温奥氏体状态下高达98～101Wm‑1K‑1。此外，该合金的FOM值为5856×106J2K‑1s‑1m‑4，是商用相变材料的9倍。经过热训练后，该合金热循环稳定性优异，可适用于高功率电子器件的热管理等应用场景。
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公开(公告)号：CN114927878B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210592508.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它由若干个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元为三层结构，由上至下依次为合金谐振器、聚酰亚胺电介质层和金属衬底；合金谐振器为一个沿对角线方向的条状结构，该条状结构的中心由固定的正方形金属铜构成，沿对角线方向正方形金属铜的两侧设置有两个可形变Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金构成的悬臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。
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公开(公告)号：CN115189145B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202210592509.4
申请日：2022-05-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明是为解决现有太赫兹超材料结构复杂、调控方式有限、功能单一的问题。它由谐振结构薄膜层、光激硅层、介电质层和接地金属层组成；所述谐振结构薄膜层由N×N个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元由Cayley树金属谐振器和十字形谐振器组成；一阶树形分支和二阶树形分支以十字形谐振器的中心对称，两个三阶树形分支以十字形谐振器的中心对称。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料吸收器。
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公开(公告)号：CN116287933B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310320555.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高弹热性能的Ni‑Mn‑Sn‑Ti形状记忆合金及其制备方法，本发明属于金属材料制备技术领域，具体涉及一种高弹热性能的Ni‑Mn‑Sn‑Ti形状记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Ni‑Mn‑Sn合金力学性能差、循环稳定性差的问题。化学通式为Ni44‑xMn46Sn10Tix，0
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公开(公告)号：CN116479290B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310320557.2
申请日：2023-03-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高弹热效应块体Co‑V‑Ga‑Mn基记忆合金及其制备方法，本发明属于固态弹热制冷材料技术领域，具体涉及一种高弹热效应块体Co‑V‑Ga‑Mn基记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有技术中存在的合金弹热制冷应用种类单一、制备成本高昂、合金综合力学性能差等问题。化学通式为Co51.7V31.3Ga17‑xMnx，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116287933A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310320555.3
申请日：2023-03-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种高弹热性能的Ni‑Mn‑Sn‑Ti形状记忆合金及其制备方法，本发明属于金属材料制备技术领域，具体涉及一种高弹热性能的Ni‑Mn‑Sn‑Ti形状记忆合金及其制备方法。本发明要解决现有Ni‑Mn‑Sn合金力学性能差、循环稳定性差的问题。化学通式为Ni44‑xMn46Sn10Tix，0
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公开(公告)号：CN105573951B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510990127.7
申请日：2015-12-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: G06F13/40
Abstract: 一种针对数据流传输的AHB总线接口系统，本发明涉及针对数据流传输的AHB总线接口系统。本发明是要解决现有方法未能提供一种通用接口而导致IP模块不能与SOC的片上总线相匹配的问题，而提供了一种针对数据流传输的AHB总线接口系统。一种针对数据流传输的AHB总线接口系统，它包括：主控制模块、寄存器组模块、译码控制模块、异常检测模块、突发传输监控模块、提前终止判断模块、分块传输处理模块、Rd_FIFO模块即读FIFO模块和Wr_FIFO模块即写FIFO模块。本发明应用于集成电路领域。
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公开(公告)号：CN115189145A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210592509.4
申请日：2022-05-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金薄膜的多功能太赫兹超材料吸收器。本发明是为解决现有太赫兹超材料结构复杂、调控方式有限、功能单一的问题。它由谐振结构薄膜层、光激硅层、介电质层和接地金属层组成；所述谐振结构薄膜层由N×N个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元由Cayley树金属谐振器和十字形谐振器组成；一阶树形分支和二阶树形分支以十字形谐振器的中心对称，两个三阶树形分支以十字形谐振器的中心对称。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料吸收器。
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公开(公告)号：CN114927878A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210592508.X
申请日：2022-05-27
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金的多功能太赫兹超材料偏振转换器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它由若干个结构单元周期性阵列而成；单个结构单元为三层结构，由上至下依次为合金谐振器、聚酰亚胺电介质层和金属衬底；合金谐振器为一个沿对角线方向的条状结构，该条状结构的中心由固定的正方形金属铜构成，沿对角线方向正方形金属铜的两侧设置有两个可形变Ni‑Mn‑Sn形状记忆合金构成的悬臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。
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公开(公告)号：CN112701490A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011495226.5
申请日：2020-12-17
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明涉及太赫兹超材料功能器件领域，具体涉及一种基于TiNi形状记忆合金薄膜的可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。本发明是为解决现有太赫兹超材料存在的结构复杂、调控范围受限以及器件功能单一的问题。它包括衬底和开口谐振环结构薄膜层；所述开口谐振环结构薄膜层包括N×N个开口谐振环结构周期单元，所述开口谐振环结构周期单元包括一个单开口谐振环结构和对称设置在单开口谐振环结构开口处的两个可弯曲臂结构。本发明用于可动态调控的多功能太赫兹超材料器件。
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