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公开(公告)号：CN114639770B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210157806.6
申请日：2022-02-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H10N10/01 , H10N10/856 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种含金属有机聚合物的室温基热电材料及其制备方法，该制备方法其包括：将金属有机聚合物、p型碲化铋Bi2‑xSbxTe3进行混合球磨，得到复合材料粉体，0＜x≤2；将复合材料粉体在400~500℃下进行热压放电等离子体烧结，得到热电材料；其中，所述金属有机聚合物为金属酞菁或金属酞菁衍生物。本发明的技术方案，通过金属有机聚合物中代表性的小分子酞菁或其衍生物材料与无机热电材料复合，利用金属有机聚合物材料多孔结构及结构多样性优势，协同优化无机材料电学、热学性能，丰富了优化无机热电材料的手段，为获得高性能热电材料提供新的思路。
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公开(公告)号：CN115322004A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211009964.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: C04B35/80 , C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645 , H01L35/16
Abstract: 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种兼具高热电和力学性能的碲化铋基热电材料及其制备方法。首次利用晶须复合强化的方法制备出了Bi2Te3基热电材料。通过调节钛酸钾晶须复合量，得到p型BixSb2‑xTe3+y wt％B，n型Bi2Te1‑xSex(A)y+z wt％B，p型和n型碲化铋材料力学性能明显改善，同时保持了材料原有热电性能。
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公开(公告)号：CN114975763A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210782910.4
申请日：2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种高可靠性热电模块及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：将热电材料与阻挡层、连接层构成多层结构，采用放电等离子烧结得到热电元件；采用绝缘的陶瓷板或表面为陶瓷层的绝缘板作为基板，对基板进行双面热压电极箔片形成电极板，并对热电元件的表面进行处理；采用纳米焊膏置于热电元件与电极板之间，于200‑500℃下进行热压烧结，得到热电模块；在热电模块内的间隙填充气凝胶绝热填料，并烘干；在热电模块的四周涂敷保温涂料，并烘干。采用本发明的技术方案，得到具有高效能源转换率和良好热稳定性的热电接头或模块，且具有良好的机械强度以及良好的高温服役稳定性。
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公开(公告)号：CN116193961A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211593980.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
IPC: H10N10/01 , C01B19/04 , D06M11/20 , D06M11/52 , C08J9/40 , C08L101/00 , H10N10/852
Abstract: 本发明提供了一种三维结构化金属硒化物柔性热电材料及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：将柔性基体用碱溶液进行前处理，清洗后得到基体材料；将锡盐溶于水中制成Sn2+溶液，然后加入酸至溶液变澄清后，将基体材料浸入该澄清的溶液中10min以上，然后清洗干燥，得到模板；在所述模板的表面和模板孔洞内表面沉积金属X，得到金属化后的基体；其中，X为Cu、Ag、Sn中的至少一种；将金属化后的基体浸入硒溶液中浸泡，反应得到三维结构的XnSe金属硒化物柔性热电材料，其中2≥n≥1。采用本发明的技术方案，得到的热电材料具有高孔隙率、低的密度、低热导和优异的柔性。
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公开(公告)号：CN115224185A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210872039.7
申请日：2022-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明适用于新能源材料领域，提供了一种具有自修复能力的无机柔性热电薄膜器件，所述无机柔性热电薄膜器件的两端分别为冷端和热端，所述无机柔性热电薄膜器件包括多片热电薄膜主体、衬底及电极，多片所所述热电薄膜主体及电极分别设于所述衬底上，多片所述热电薄膜主体通过所述电极串联。该无机柔性热电薄膜器件结构简单，形状可控，可以根据应用场景的不同做出相应调整而不影响其自修复能力；首次在无机热电薄膜中实现了自修复功能；利用磁控溅射工艺，可以大面积制备，且衬底材料便宜，生产成本低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115747740A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211439359.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5，衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构，中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射，和在窗口外5‑8μm的高发射，同时实现了隐身和散热的双功能效果。
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公开(公告)号：CN115747740B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202211439359.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体涉及基于Ge2Sb2Te5的红外隐身与辐射散热薄膜及其制备方法。本发明的红外隐身与辐射调控选择性发射薄膜材料为Ni和Ge2Sb2Te5，衬底为高纯硅片。选择性发射薄膜包含为Ni/晶态Ge2Sb2Te5/Ni/非晶态Ge2Sb2Te5四层结构，中间层晶态Ge2Sb2Te5通过沉积后退火得到。该结构可同时实现在3‑5、8‑13μm的“大气窗口”区间低发射，和在窗口外5‑8μm的高发射，同时实现了隐身和散热的双功能效果。
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公开(公告)号：CN115011936B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210550868.3
申请日：2022-05-20
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层及其制备方法，所述基于周期性损耗介质的选择性分光吸热涂层从上到下依次包括三周期的损耗介质层，所述损耗介质层为ITO层/Si层、ITO层/SiC层、或WO3层/Si层。采用本发明的技术方案，可以同时实现分光和吸热一体，可同时兼顾725‑1100 nm光伏带内的反射和光伏带外太阳光谱范围内的光吸收，且高温稳定性好，在400℃高温真空环境下可以稳定100 h以上，性能没有变坏趋势。
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公开(公告)号：CN115701267A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202211020109.2
申请日：2022-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种n型SmMg2Sb2基热电材料及其制备方法，所述n型SmMg2Sb2基热电材料的化学通式为SmMg2.3Sb2‑x‑yBiyTex，0
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