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公开(公告)号：CN118211482A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410400889.6
申请日：2024-04-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/27 , G06F17/18 , G06N3/006 , G06F119/02
Abstract: 一种电子元器件的可靠性预测系统，属于电子元器件寿命预测技术领域。为解决现有电子元器件可靠性预测方法效率低、灵活性差、复杂模型难以计算的问题。包括：数据处理模块在Web界面上进行测试数据上传；元器件模型选择模块根据可靠性预测目标选择不同的元器件退化模型，基于测试数据进行构建；可靠性模型构建模块采用麻雀优化算法对元器件退化模型的参数进行优化，采用交互式设置算法对搜索个体数目和搜索迭代次数构建迭代搜索最小化模型，通过迭代搜索最小化模型与实际数据之间的差进行参数拟合的求解，构建获得可靠性模型；可靠性预测模块利用对数正态累计分布函数进行寿命周期预测，获得元器件的可靠性预测结果。用于电子元器件可靠性预测。
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公开(公告)号：CN111651337B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202010378931.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
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公开(公告)号：CN109658962A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811554118.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/24
Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
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公开(公告)号：CN109637567A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811554714.1
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C7/24 , G11C11/413
CPC classification number: G11C7/24 , G11C11/413
Abstract: 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中的晶体管尺寸不能采用最小尺寸来实现而必须要经过特定的设计，从而增大了TD电路输入和输出之间的传播延迟，进而产生毛刺脉冲引发流水线的重写操作的问题。本发明设计了用于监测流水线中的触发器是否发生翻转的沿检测电路，并且通过合理的监测机制实现了对D触发器单粒子翻转效应的监测和纠正以及对单粒子瞬态效应和时序错误的监测功能，本发明应用于触发器领域。
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公开(公告)号：CN101266111B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810064210.1
申请日：2008-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F28D15/02
Abstract: 本发明公开一种常压下微热管真空注液封装的方法，包括注液和封装两个过程，由于微热管腔体及工作液体中残留的空气会严重影响微热管的性能，因此本发明首先采用抽真空与超声振动相结合的方式，将微热管工质注满整个腔体，在封装过程中，采用加热-冷却的方式，使微热管内部达到汽液动态平衡，可实现注液量可控，最后胶封注液孔。与现有技术相比，该发明成本低廉、操作简便、并能保证微热管腔体的高真空度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101266112B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810064211.6
申请日：2008-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F28D15/02
Abstract: 本发明提供了SOG(Silicon on Glass)微热管及其制作方法。结构以硅片作为衬底，以有机玻璃作为覆盖片，两者通过静电键合封接在一起形成封闭结构，然后由硅片上预留的小孔进行充液，并对此充液孔进行真空封闭，形成腔体内部填充有一定工质的微型平板热管结构。由于玻璃丝的存在既可以减小气液界面弯月面的半径，又能够增加沟槽内尖角区的数量，从而提高了工质回流的毛细力。覆盖片采用玻璃片，增强了可视性，可以对微热管的工作状态进行实时的观察和监控，在玻璃上刻蚀矩形腔，作为饱和蒸汽的流通空间。此连通的蒸汽流通空间可以减弱汽-液分界面上由于蒸汽流和液体流高速反向运动带来的剪切摩擦力，从而提高热管的携带极限，最终增加热管的最大传热量。
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公开(公告)号：CN100501334C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610009671.X
申请日：2006-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01C25/00
CPC classification number: B81C99/005
Abstract: 本发明提供的是一种微机械陀螺摆臂式测试装置。它包括机械装置部分和控制部分，其中机械装置包括底座，在底座上安装圆盘支撑轴和导杆支撑轴，圆盘支撑轴上安装圆盘，在圆盘下设置从动轮，圆盘上固定有滚珠，导杆支撑轴上安装导杆和载物台，导杆上开有导轨限位槽，滚珠置于导轨限位槽中，控制部分为带有调速器的直流力矩电机，直流力矩电机安装在底座上，其输出轴上安装主动轮，主动轮与从动轮之间由皮带连接。圆盘与滚珠在作匀速旋转时带动导杆往复摆动，其摆动角速度接近正弦规律变化，角速度的频率与幅值由控制器控制，可通过固定于载物台的标准陀螺测得。提供信号准确；稳定性好，易于控制；结构简单，便于加工，操作简单。
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公开(公告)号：CN101266112A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810064211.6
申请日：2008-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F28D15/02
Abstract: 本发明提供了SOG(Silicon on Glass)微热管及其制作方法。结构以硅片作为衬底，以有机玻璃作为覆盖片，两者通过静电键合封接在一起形成封闭结构，然后由硅片上预留的小孔进行充液，并对此充液孔进行真空封闭，形成腔体内部填充有一定工质的微型平板热管结构。由于玻璃丝的存在既可以减小气液界面弯月面的半径，又能够增加沟槽内尖角区的数量，从而提高了工质回流的毛细力。覆盖片采用玻璃片，增强了可视性，可以对微热管的工作状态进行实时的观察和监控，在玻璃上刻蚀矩形腔，作为饱和蒸汽的流通空间。此连通的蒸汽流通空间可以减弱汽-液分界面上由于蒸汽流和液体流高速反向运动带来的剪切摩擦力，从而提高热管的携带极限，最终增加热管的最大传热量。
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公开(公告)号：CN117291135A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311317217.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/39 , G06F18/214 , G06N20/00 , G06F119/02 , G06F119/06
Abstract: 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一、通过结构参数建立模拟的功率场效应管MOSFET；结构参数包括功率MOSFET的沟道长度、沟道宽度和氧化层厚度；步骤二、对功率MOSFET进行仿真，获取功率MOSFET的漂移阈值电压实际值；步骤三、建立初始预测模型；将结构参数作为初始预测模型的输入参数，漂移阈值电压实际值作为初始预测模型的输出参数，对初始预测模型进行训练、验证和测试，得到可靠性预测模型。
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公开(公告)号：CN114268276A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111579626.9
申请日：2021-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于太阳电池低温低光强综合试验装置以及试验方法，该装置包括光源、低温恒温舱、无油分子泵、风冷压缩机、温度控制仪以及电学测试系统；其试验方法包括：根据电池服役环境，确定温度光照条件；整理装置，安装衰减片；样品放置，检查光路与测试线路；打开无油分子泵将低温恒温舱抽成真空环境；打开风冷压缩机对冷头降温至额定温度；校准太阳模拟器；测试样品光特性。该发明能在地面模拟出空间环境中低温低光强的试验装置的试验方法。
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