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公开(公告)号：CN116852559A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310611108.3
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明基于双显微镜协同的光学晶体表面微缺陷修复用自动对刀方法，涉及精密光学加工技术领域，为解决现有对刀方法对加工条件要求较高，对刀精度相对较差，易受外界环境干扰，同时安全性方面不足的问题。本发明首先通过三点“试切法”确定待修复晶体表面的平面拟合方程，根据扫描显微镜获得的光学表面微缺陷的平面位置信息，计算不同待修复缺陷点至对刀表面的距离，以确定对刀进给距离，提高对刀效率的安全性；然后通过修复显微镜基于“倒影法”计算对刀过程中刀尖距离晶体待修复表面的距离；最后以扫描显微镜中出现的对刀凹坑作为对刀完成的判据。本发明的对刀方法解决了“倒影法”易因刀尖粘屑导致误判的问题，保证了对刀准确性。
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公开(公告)号：CN116834163A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310611027.3
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法，涉及光学工程技术领域，为解决现有自动对刀方法对对刀阶段的划分准确性不高、缺少安全判据、自动对刀过程的效率不高的问题。本发明采用对晶体口径外三点标定的方法，建立晶体待修复表面的拟合平面方程，并考虑重力变形的影响，划分粗对刀阶段与精对刀阶段；确定粗对刀阶段进给参数和进式进刀策略，通过修复显微镜系统辅助测距，对刀尖到晶体待修复表面运动过程的距离进行修正，增设安全判据；确定精对刀阶段的进给参数和进给策略，对比每次进给前后扫描显微镜采集到的图像并进行处理，以视野中出现对刀凹坑作为对刀成功标志。实现准确、安全和高效的对刀过程。
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公开(公告)号：CN116644632A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310613575.X
申请日：2023-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种缺陷诱导激光损伤动态行为中引入的应力波辨识方法，属于工程光学技术领域。为解决现有探究KDP晶体在激光损伤过程中的力学响应时，未考虑多种应力波间相互影响，难以构件应力波与损伤关联的问题。基于损伤动力学有限元方法模型确定激光辐照下诱导产生的四种应力波，建立KDP晶体材料内部纵波以及头波波速的特征方程，联立剪切波和瑞利波波速的表达式，求解剪切波和瑞利波波速。能够实现对应力波的精准辨识，可直观地揭示不同形态、不同特征的应力波对激光损伤扩展的影响机制和程度，描述不同应力波之间相互作用而产生的损伤，有助于提升KDP晶体光学元件加工表面的抗激光损伤能力。
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公开(公告)号：CN101195178B
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200710144867.4
申请日：2007-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 龙门式超精密飞切铣床，它涉及一种铣床。本发明解决了现有技术中没能提供用于平面超精密加工的专用设备来加工非线性光学领域所急需的KDP晶体等功能材料的问题。所述主轴套(38)套装在气体静压主轴(35)上，飞刀盘(34)安装在气体静压主轴(35)的下端上，上溜板(41)的两端通过两个中间溜板(45)与两个下溜板(46)分别固接并形成凹槽(62)，所述导轨(42)的上端安装在凹槽(62)内，真空吸盘(57)安装在上溜板(41)上，丝母(58)套装在丝杠(11)上，丝杠(11)的两端安装在导轨(42)的上端。本发明实现了高精度的直线进给运动和刀盘的回转运动，而且导轨和主轴均采用了空气静压的控制方式，具有精度高、无污染等优点。
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公开(公告)号：CN115169198B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210905554.0
申请日：2022-07-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06F111/04 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种基于ABAQUS的各向异性KDP功能晶体材料微铣削加工过程的三维仿真方法，属于光学元件计算机辅助设计与加工技术领域。为解决现有的仿真方法无法从三个维度精确预测各向异性KDP材料微铣削加工过程的问题。包括：步骤一、构建加工过程的三维装配模型；步骤二、设置分析步时间总长和半自动质量缩放以及设置输出变量；步骤三、构建工件的各向异性本构模型；步骤四、对铣刀和KDP晶体元件分别进行网格划分；步骤五、模拟铣刀与元件的接触状态；步骤六、约束模型自由度并设置加工工艺参数；步骤七、对模型进行求解，重复步骤二至七的操作，至仿真结果收敛；步骤八、输出仿真结果。本发明方法能够全方位精确描述向异性KDP晶体材料微铣削加工过程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108645867B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201810520557.6
申请日：2018-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 大口径光学晶体表面微缺陷的快速寻位与批量检测方法，属于光学工程领域。本发明为了解决大口径光学晶体表面微缺陷的批量、快速和精确检测的难题而提出的。本方法首先采用“连续运动采集”的光栅扫描方式对整块晶体元件完整扫描；然后，通过开发图像采集程序并建立其与数控运动程序的通讯，实现根据晶体实时扫描位置来采集图像的功能；基于图像处理算法实现对采集图像中缺陷点轮廓位置的椭圆拟合，获得单张图片中缺陷点数量、位置、尺寸等信息；最后，开发缺陷点自动检测程序，建立基于Microsoft Access微缺陷信息的数据库，以实现对采集图像的批量检测和缺陷点信息的保存、更新。本发明还为大口径晶体元件表面微缺陷的修复和控制提供详细的参数依据。
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公开(公告)号：CN108760766B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810517270.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
Abstract: 一种大口径光学晶体表面微缺陷检测用的图像拼接方法，涉及一种微缺陷检测用的图像拼接方法。本发明为了解决目前的缺陷检测中大口径晶体的图像采集和缺陷识别环节耗费时间较长的问题。本发明首先对待测大口径晶体元件表面区域进行扫描，并利用检测显微镜和检测CCD对扫描区域进行实时图像采集，并确定单张图片的尺寸范围和重叠区域尺寸：然后基于坐标系平移变换法实现采集图像的拼接和缺陷点的坐标转换，确定每个图像中每个缺陷点在全局坐标系下的位置，并建立缺陷数据库。本发明适用于光学晶体表面微缺陷检测的图像拼接。
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公开(公告)号：CN111458312A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010158345.5
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN106949852B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201710229911.5
申请日：2017-04-10
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01B11/24
Abstract: 环抛加工修正盘表面形状误差的检测装置及检测方法，涉及一种形状误差的检测装置及检测方法。本发明为了解决现有技术中由于环抛加工修正盘具有较大的直径和较高的重量，进而造成激光干涉仪和三坐标测量仪无法直接进行表面形状误差的检测的问题。装置由大理石平尺、U形框、精密定位台、激光位移传感器、支撑平台、和矩形玻璃构成。检测方法：一、吊装环抛加工修正盘并组装装置；二、标出直径；三、调整大理石平尺与环抛加工修正盘工作面平行；四、数据采集。本发明解决了大尺寸修正盘工作面朝下且难以翻转的难题，能够半自动地检测大型环抛机的大尺寸修正盘的表面形状误差，检测过程简单精度高。本发明适用于检测环抛加工修正盘表面形状误差。
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公开(公告)号：CN108760766A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810517270.8
申请日：2018-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/95
Abstract: 一种大口径光学晶体表面微缺陷检测用的图像拼接方法，涉及一种微缺陷检测用的图像拼接方法。本发明为了解决目前的缺陷检测中大口径晶体的图像采集和缺陷识别环节耗费时间较长的问题。本发明首先对待测大口径晶体元件表面区域进行扫描，并利用检测显微镜和检测CCD对扫描区域进行实时图像采集，并确定单张图片的尺寸范围和重叠区域尺寸：然后基于坐标系平移变换法实现采集图像的拼接和缺陷点的坐标转换，确定每个图像中每个缺陷点在全局坐标系下的位置，并建立缺陷数据库。本发明适用于光学晶体表面微缺陷检测的图像拼接。
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