导电扫描金相样的制备方法

    公开(公告)号:CN101718647A

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200910311372.5

    申请日:2009-12-14

    Abstract: 导电扫描金相样的制备方法,它涉及一种扫描金相样的制备方法。本发明解决了扫描金相样不导电、导电填料分布均匀、导电填料与基体材料之间的粘结性差的问题。方法步骤:选取胶木粉为基体材料;炭黑为导电填料,将体积比例为5∶(2-3)的胶木粉与炭黑加入装有酒精的到容器中;将容器加热至100℃,搅拌30分钟;将混合物倒出容器,在50-100℃的温度范围下烘干;粉碎烘干后的复合材料;将制备好的粉体放入模具内加热至130-150℃,同时对模具施加压力,保温保压8-10分钟;取出试样,完成金相样的制备。本发明提高了导电填料与基体材料之间的粘结性,导电填料分布均匀;金相样物理-力学性能稳定。

    一种基于区块链的数据管理方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN115712921B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211284663.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于区块链的数据管理方法、装置及电子设备,方法包括:响应于第一数据合规评判节点对区块链系统中存储的数据进行合规性检查;若检测到区块链系统上存储的任一数据不满足合规要求,通过所述存储信息管理节点从所述管理链中找到所述数据存储的位置信息;根据所述位置信息,将所述数据从相应的存储节点中删除。本发明通过设计区块链存储多节点评判方案对数据合规性进行评判以及设计数据和登记、管理信息分离的方案减少了人工工作量和成本以及在进行数据销毁时,可以抹除违规数据的源数据。

    一种区块打包方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN115617806B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN202211360635.3

    申请日:2022-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种区块打包方法、装置、电子设备及存储介质,方法包括:当新一轮按照预设数量打包区块开始前,将区块链上剩余的未打包区块按照预设要求划分为多个区间,其中划分的第一个区间为当前轮次打包的区块数量,第二个区间打包区块的数量根据所述当前轮次打包的区块数量以及当前轮次预估新增区块的数量确定;确定每一区间包含的区块对应的有效性证明申请次数以及历史目标轮次打包操作时对应的区块增长数量;根据每一区间包含的区块对应的有效性证明申请次数以及历史目标轮次打包操作时对应的区块增长数量,确定下一轮打包区块数量。本发明通过动态调整打包区块数量,可以更好地应对灵活多变的业务场景,最大化利用系统资源。

    一种基于区块链的数据管理方法、装置及电子设备

    公开(公告)号:CN115712921A

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202211284663.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于区块链的数据管理方法、装置及电子设备,方法包括:响应于第一数据合规评判节点对区块链系统中存储的数据进行合规性检查;若检测到区块链系统上存储的任一数据不满足合规要求,通过所述存储信息管理节点从所述管理链中找到所述数据存储的位置信息;根据所述位置信息,将所述数据从相应的存储节点中删除。本发明通过设计区块链存储多节点评判方案对数据合规性进行评判以及设计数据和登记、管理信息分离的方案减少了人工工作量和成本以及在进行数据销毁时,可以抹除违规数据的源数据。

    抗单粒子瞬态效应的触发器

    公开(公告)号:CN103812472A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201410074893.4

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 抗单粒子瞬态效应的触发器,涉及集成电路领域。解决了集成电路设计中单粒子瞬态效应的发生概率越来越高,其脉冲干扰信号被集成电路系统中存储单元捕获导致电路软错误的概率越来越高的问题。初始信号经第一反相器反相后发送至第三脉冲锁存器并输出至异或门xor1和第二反相器,异或门xor1的输出信号经第三反相器反相后同时发送至第一脉冲锁存器和第二脉冲锁存器,第一脉冲锁存器与第二脉冲锁存器的输出信号均发送至与非门,与非门的输出信号经第四反相器反相后发送至异或门xor2,第三脉冲锁存器的输出信号经第二反相器反相后发送至第四脉冲锁存器,第四脉冲锁存器的输出信号经第五反相器反相后发送至异或门xor2,异或门xor2的输出信号为触发器的输出信号。本发明适用于消除单粒子瞬态效应。

    导电胶木粉及其制备方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101303912A

    公开(公告)日:2008-11-12

    申请号:CN200810064828.8

    申请日:2008-06-30

    Abstract: 导电胶木粉及其制备方法,它涉及一种导电胶木粉及其制备方法。本发明解决了现有的胶木粉由于其高的绝缘性使其应用范围受到了限制的问题。所述导电胶木粉按体积份数比由5份胶木粉和2~3份炭黑制成。本方法为:步骤一、将胶木粉和炭黑按体积份数比5∶2~3的比例混和制成混合粉料,再将混合粉料放入酒精中制成混合液;步骤二、将上述混合液水浴加热至70℃~100℃,然后机械搅拌混合液30~60分钟;步骤三、将混合液在100℃以下烘干制成块状物,将块状物粉碎后即得导电胶木粉。本发明方法使胶木粉具有导电性,扩大了其应用范围。用本方法制备出的导电胶木粉可根据要求将粉体制成规定的形状,其成品的体积电阻率一般为55-130Ω/cm。

    抗多节点翻转的存储器
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103778954A

    公开(公告)日:2014-05-07

    申请号:CN201410062259.9

    申请日:2014-02-24

    Abstract: 抗多节点翻转的存储器,涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储单元发生单节点翻转和多节点翻转时的容错保护功能,它包括两个PMOS存取晶体管以及一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构。所述的一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构(stacked?structure),由PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5和P6同NMOS晶体管N1、N2、N3和N4共同组成。它的一个作用是来降低存储单元的功耗。本发明可以对于存储器中任意单个节点的翻转进行加固,还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错,而不依赖于存储器所存储的值。

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